Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Cхема замещения катушки с ферромагн сердечником.Векторная диаграмма.





При расчете цепей с ферромагнитными элементами с синусоидальными источниками питания индуктивность L нельзя считать постоянной, и поэтому необходимо использовать зависимость между ЭДС и потокосцеплением или потоком. Форма кривой зависимости между потоком Ф и намагничивающим током i (рис. 4.8) подобна форме основной кривой намагничивания В(Н), т.к. Ф = B∙S, а H = Iw/L.

Нелинейный характер зависимости между Ф и i приводит к тому, что индуктивность катушки L = W Ф / i перестает быть величиной постоянной и зависит от величины намагничивающего тока.

При непостоянстве индуктивности L ЭДС самоиндукции е, наводимую в катушке переменным током i следует определять по формуле: ;

Если к катушке подведено синусоидальное напряжение u = Um sin(ωt + π/2), а активное сопротивление обмотки R ≈ 0, то приложенное напряжение уравновешивается только ЭДС самоиндукции: u = -e, UM sin(ωt + π/2) = W∙ dФ / dt. Интегрируя это выражение, получим Ф = UM/(2πf)∙W∙ sin(ωt) = ФM sin(ωt).

Из полученного соотношения следует: 1. При синусоидальном напряжении на зажимах катушки магнитный поток Ф, вызванный протекающим по цепи током I, тоже синусоидальный. 2. Заданному действующему значению напряжения U на зажимах катушки соответствует определенная амплитуда магнитного потока Фm независимо от того, имеется ли у катушки стальной сердечник или же магнитный поток целиком замыкается по воздуху. Магнитный поток индуктирует в обмотке катушки ЭДС самоиндукции е, равную по величине приложенному напряжению и противоположную ему по направлению. e = -WdФ/dt = -W∙ФM∙ω∙ cos(ωt) = 2πfW∙ФM∙sin(ωt - π/2), EM = 2πf∙W∙Фm,

 

При этом индуктируемая ЭДС Е отстает от магнитного потока на четверть периода. Выражение для действующей индуктированной ЭДС E = 4,44fWФm часто используется при анализе работы и в практических расчетах и называется трансформаторной ЭДС.

Векторная диаграмма и а) последовательная, б) параллельная схемы замещения:

а)

б)

 

39)) Биполярный транзистор – это ППП, который состоит из трех

взаимочередующихся областей проводимости, имеет электрический вывод из каждой области и предназначен для усиления мощности эл. сигнала, поступающего на его вход.

Исходя из структуры определения можно сделать вывод о том, что существует 2 типа биполярных транзисторов с взаимно противоположными характеристиками, а именно транзисторы проводимости n – p – n и p – n – p.

 

Как показано на рисунке U транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (вывод из области эмиттера является общим для входа и выхода), существует две цепи протекания тока: входная (через области База и Эмиттер), создающая условия для протекания тока в выходной цепи (эмиттер, база, коллектор). Т.о., входное U, смещающее переход база – эмиттер в прямом направлении, создает условия для сквозного протекания тока через транзистор. Данная схема позволяет усиливать одновременно и ток, и U, и является наиболее эффективной. Поэтому она используется в подавляющем большинстве принципиальных схем (все усилительные схемы и схемы транзисторных ключей - цифровая схемотехника).

 

В зависимости от полярности и величины UВХ транзистор может работать в 3-х режимах:

1 – режим отсечки (UВХ ниже порогового; через транзистор в выходной цепи

ток не протекает за исключением теплового тока).

2 – активный режим (UВХ находится в пределах больше порогового и меньше

насыщения; выходной ток пропорционален входному;

данный режим используется в усилителях).

3 – режим насыщения (UВХ превышает U насыщения; в выходной цепи протекает максимально допустимый ток, который ограничивается только внешними элементами транзистора).

32)) Этапы развития электроники

1895г. – первый в мире радиоприемник А.Попова. Применение электромагнитных волн для передачи сигналов на большие расстояния.

1914г. – электронные машины Бонч-Бруевича.

20-е – развитие радиосвязи, телевидения, измерительной техники.

30 – 40-е – ПП триоды – транзисторы;

Под руководством акад. Иоффе разработана теория ПП и их

техническое применение. Исследованы усилительные свойства.

60-е – интегральная микроэлектроника – микросхемы.

80-е – большие интегральные схемы – БИС – микропроцессоры – микро ЭВМ.

90-е – оптоэлектроника – СБИС.

1. Информационная электроника – это основы электронно-вычислительной (ЭВ) и информационно-измерительной техники, а также устройства автоматики.

2. Энергетическая электроника – устройства и системы преобразования ЭН: выпрямители, инверторы, преобразователи частоты и др.

3. Электронная технология – методы и устройства, использующиеся в технологических процессах (высокочастотный нагрев, ультразвуковая сварка и т.д.)

33)) ППП – это приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников (простые – германий Ge, кремний Si, селен, сложные – арсенид Ga, фосфид Ga и др.).

Для придания полупроводнику электропроводимости – электронной или дырочной, его легируют (т.е. в чистые полупроводники вносят примеси: элементы III гр. (In-индий), создают дырочную проводимость, V гр. (P-фосфор) – электронную проводимость).

Т.о., основные значения для работы ППП имеет электронно-дырочный переход, который называют p-n переходом (область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную электропроводимость).

Свойства полупроводников и характеристики p-n перехода используют в двух электродных ППП – ПП резисторах и диодах, в более сложных – транзисторах и тиристорах (взаимодействие нескольких p-n переходов).

Date: 2016-07-18; view: 372; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию