Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Уравнение непрерывности
В общем случае концентрация носителей зависит от координаты и времени: n(x,t), p(x,t). Эти зависимости можно найти, решив уравнение непрерывности, записываемое в виде: для неосновных носителей в р -полупроводнике (2.54) для неосновных носителей в n -полупроводнике (2.55) (2.56) (2.57) Эти уравнения учитывают процесс диффузии и рекомбинации и называются уравнениями диффузии. В полупроводниковых приборах часто рассматривается стационарный режим, когда концентрации не изменяются во времени (dn/dt=0, dp/dt=0). Рассмотрим p -полупроводник, в котором dn/dt=0. Тогда вместо (2.56) можно записать (2.58) где принято обозначение (2.59) Так как – избыточная концентрация электронов, то вместо (2.58) запишем (2.60)
Решением этого дифференциального уравнения второго порядка является сумма экспонент: (2.61) а коэффициенты и определяются из граничных условий. (2.62) Из выражения (2.62) следует, что при . Характерную длину , на которой избыточная концентрация электронов при диффузии уменьшается из-за рекомбинации в е =2,72 раза, называют диффузионной длиной электронов. При х > 3 уже можно считать, что , т.е. состояние считается равновесным. Аналогично (2.62) можно записать и закон изменения избыточной концентрации дырок в n -полупроводнике: (2.63) где, как и в (2.59), (2.64) – диффузионная длина дырок в n -полупроводнике.
ГЛАВА 3
|