Обратная связь по постоянному току

ООС по постоянному току используется в основном для стабилизации режимов работы транзисторов. Для этого применяется как местная, так и общая ООС.

Рис. 5

Схемотехническая реализация ООС по постоянному току

Местная ООС бывает трех типов: параллельная (рис. 5, а), последовательная (рис. 5, б) и комбинированная (рис. 5, в).

В схеме ООС параллельного типа, называемой также схемой коллекторной стабилизации (рис. 5а), обратная связь поступает с коллектора транзистора на его базу через сопротивление R_б. При возрастании тока коллектора (под влиянием дестабилизирующих факторов) увеличивается падение напряжения на сопротивлении коллекторной нагрузки R_k. Это приводит к уменьшению тока базы, а соответственно и тока коллектора.

Эффективность стабилизации, определяемая соотношением сопротивлений R_k и R_б, обычно мала. В данной схеме ООС действует как по постоянному, так и по переменному току. Если необходимо ослабить действие ООС на частотах сигнала, резистор R_б можно заменить на R_C – цепочку, как показано в верхней части рисунка пунктиром.

В схеме ООС последовательного типа, называемой также схемой эмиттерной стабилизации (рис. 5, б), сопротивление ОС Rэ включено в цепь эмиттера. За счет делителя R_б1 и R_{б 2} напряжение на базе транзистора поддерживается примерно постоянным. При возрастании тока коллектора (под влиянием дестабилизирующего фактора) увеличивается ток эмиттера и возрастает падение напряжения на сопротивлении Rэ, в результате чего уменьшается напряжение на переходе база–эмиттер транзистора, что приводит к уменьшению тока коллектора.

Общая ООС по постоянному току может быть реализована только при непосредственной связи каскадов. Один из видов такой ООС для двух каскадов показан на рис. 5, г. Напряжение смещения на базу транзистора T₁ подается от эмиттерного сопротивления R_э через сопротивление обратной связи R_OC. Если под влиянием дестабилизирующего фактора возрастает ток базы второго транзистора T₂, то увеличивается падение напряжения на сопротивлении Rэ и, соответственно, протекающий через него ток, что приводит к увеличению тока коллектора первого транзистора. В результате снижается напряжение на коллекторе T₁ и уменьшается ток коллектора T₂.