Специальные типы полупроводниковых диодов

К специальным полупроводниковым диодам относятся приборы, в которых используются особые свойства р-п-переходов: управляемая полупроводниковая емкость – варикапы, лавинообразный пробой – стабилитроны, тунельный эффект- тунельные и обращенные диоды, фотоэффект – фотодиоды, светодиоды, многослойные диоды – динисторы, двухбазовые диоды.

Варикапы – это полупроводниковый диод у которого используется барьерная емкость р-п-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду обратного напряжения и с увеличением его уменьшается

Рис. 1.5.

а. Схематичное изображение б Зависимость емкости в. Схема замещения

варикапа варикапа от напряжения варикапа

Стабилитроны – это полупроводниковые диоды, работающие в режиме лавиннообразного пробоя. При обратном смещении полупроводникового диода возикает электрический лавиннообразный пробой р-п- перехода.

Рис.. 1.6

а. Схематичное б.Линеаризованная в. Схема замещения

изображение стабилитрона характеристика

Тунельные диоды. Тунельный эффект заключается в тунельном прохождении тока через р-п- переход. Ток начинает проходить через переход при напряжении, значительно меньшем контактной разности потенциалов.

Рис. 1.7.

а. Схематическое б. Вольт-амперная в. Схема замещения

изображение тунельного характеристика диода

диода

Обращенные диоды, являются вырожденными тунельными диодами.

Обращенные диоды применяются на сверхвысоких частотах очень малых напряжений. Однако при использовании таких диодов необходимо поменять местами анод и катод, так как меняются местами области выпрямления.

Светоизлучающие диоды преобразуют электрическую энергию в световое излучение за счет рекомбинации электронов и дырок.

Фотодиод представляет собой диод с открытым р-п-переходом.

Рис.. 1.8.

а. Вольт-амперна я б. Схематическое изображение

характеристика фотодиода фотодиода