Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Чистые полупроводники
|
|
-С
ΔẀ
+В
Рис. 1.1 Енергетическая диаграмма
В - валентная зона, все уровни которой при t = абс нулю заполнены электронами.
С - зона свободных электронов уровни, на которых возможен переход электронов при возбуждении атомов (зона проводимости).
З - запрещенная зона, энергетические уровни, в которых отсутствуют. Наличие этой зоны означает, что для перехода электрона в зону проводимости необходимо сообщить энергию большую, чем ΔW.
Из физики известно, что связь атомов, при которой каждый из них остается нейтральным наз. ковалентной (валентной). Нарушение валентных связей приводит к образованию свободных электронов и пустых мест–дырок. Из-за относительно узких запрещенных зон в полупроводниках некоторые электроны могут получить энергию, достаточную для преодоления запрещенной зоны и перейти в зону проводимости. При уходе электрона в валентной зоне остается незаполненный энергетический уровень-дырка. Такая электропроводность полупроводников, связанная с нарушением валентних свіязей называется их собственной проводимостью
Понятие дырка с точки зрения зонной теории. Если приложить к полупроводнику напряжение, то при наличии электрического поля в движение приходят не только свободные электроны зоны проводимости, но и электроны валентной зоны. Оказывается, что движение этой огромной массы электронов валентной зоны с самыми различными эффективными массами эквивалентно движению ограниченного количества (по количеству незаполненных уровней) квазичастиц с положительным зарядом, которые и были названы дырками.
В кристалле полупроводника появляется свободный электрон, который перемещается по кристаллу и дырка - узла, лишенная одного из электронов связи. Восстановление связи возможно за счет электронов из соседней связи. Процесс восстановления связи за счет перемещения электронов, т.е. процесс в валентной зоне удобно представить в виде направленного движения дырок (+) В кристалле происходит перемещение, как электронов, так и дырок. Этот процесс образования пары (электрон-дырка) в валентной зоне называется генерацией собственных носителей зарядов. Протекает еще один процесс – рекомбинация, т.е. встреча дырок и свободных электронов, сопровождается возвратом электронов из зоны проводимости в зону валентную. Этот процесс происходит на дефектах кристаллической решетки- центры рекомбинации.
Однако на практике чистые проводники в промышленности не применяются. В чистые проводники вводятся примеси. Введение примесей приводит к появлению так называемой примесной проводи мости. Примеси, которые отдают свои электроны в зону проводимости основного полупроводника, называются донорами. Таким образом, при помощи доноров создаются полупроводники, в которых основними носителями зарядов служат электроны, проводимость называться электронной (типа П). Примеси, способные принимать на свои уровни валентности электроны, называются акцепторные Аналогично при помощи акцепторов создаются полупроводники, в которыхв которых основними носителями зарядов являються дырки.. Такая проводимость будет называться дырочной (типа Р). Следует ввести понятие – основные и не основные носители зарядов. В проводимости типа-Р основными носителями будут – дырки, а не основными –электроны. При проводимости типа-П основными носителями будут электроны, а не основными –дырки.
Классификация силовых полупроводниковых элементов представлена на рис.1.2
Рис. 1.2. Классификая силових полупроводниковых элементов
Date: 2016-05-18; view: 629; Нарушение авторских прав