Расчет промежуточного каскада усиления

Рассчитаем элементы каскада усиления, выполненного на транзисторе VT2. Используя выражения (3.1.3), а также, учитывая (3.1.2) и (3.1.1), имеем:

(3.2)

Принимаем R_K2 = 1500 Ом.

Определим ток покоя коллектора транзистора VT2:

(3.2.1)

Тогда

(3.2.2)

Принимаем R_Э2 = 200 Ом.

Транзистор VT2 должен отвечать следующим требованиям:

(3.2.3)

(3.2.4)

(3.2.5)

По справочникам [6 с. 66, 67] или [7 с. 29,30] выбираем транзистор КТ503Б, который имеет следующие предельные эксплуатационные параметры:

граничное напряжение коллектор-эмиттер U_{КЭ max доп} = 25 В;

постоянный ток коллектора I_{K max доп} = 150 мА;

постоянная рассеиваемая мощность коллектора с Р_{к max доп} = 0,35 Вт;

статический коэффициент передачи тока базы h_21Э - 80-120;

граничная частота коэффициента передачи f_гр = 5 МГц.

Используя аналитическое выражение, позволяющее оценить термостабильности каскада, получим:

(3.2.6)

Тогда

(3.2.7)

Из приведенных выражений при условии U_б2 ⁼ 2,75 В найдем:

(3.2.8)

(3.2.9)

Принимаем, соответственно: R_б4=700Ом и R_б3 = 4,8 кОм.

Определим ток покоя базы транзистора VT2:

(3.3)

Ток делителя на резисторах R_б3 и R_б4

(3.3.1)

Сравнительный анализ показывает, что Iдел >> I_б20, следовательно, выполняется условие независимости выходного напряжения делителя U_Б2 от тока базы транзистора VT2.

Сопротивление нагрузки каскада на транзисторе VT2 по переменному току определяем из условия параллельного включения резисторов R_H3 И R_K2, образующих апериодическую нагрузку второго каскада R_HVT2:

, где (3.3.2)

Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2 без учета действия цепи местной отрицательной обратной связи при R_BX = 230 Ом:

(3.3.3)

Сопротивление нагрузки для каскада на транзисторе VT1 по переменному току можно определить из условия:

(3.3.4)

Тогда R_HVT1=170 Ом.