Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)





Нелинейная модель, предложенная Эберсом и Моллом, характеризует активную область транзистора, в ней отсутствуют резисторы, отражающие наличие пассивных областей базы и коллектора.

Два встречно включенных p-n-перехода транзистора отображаются в виде идеальных диодов с собственными токами I1 и I2, а взаимодействие между ними – в виде генераторов тока aNI1 и aII2 (рис.4), где aN и a I – коэффициенты передачи тока при нормальном и инверсном включениях.

 
 

Токи диодов описываются выражениями:

I1=I¢ЭО(еxp(UЭT) – 1) (7)

I2=I¢KО(еxp(UКT) – 1) (8)

где I¢ЭО, I¢ – тепловые токи соответствующих переходов при коротком замыкании другого перехода;

φT – температурный потенциал.

Положительными считаются прямые напряжения на переходах: для p-n-p-транзистора:

UЭ=UЭБ,, UК=UКБ,

для n-p-n-транзистора:

UЭ= -UЭБ, UК= -UКБ..

Из рис. 4 следуют соотношения:

. (9)

(10)

На практике принято измерять тепловые токи, не закорачивая, а обрывая цепь второго перехода. Соответствующие значения обозначают через IЭ0 и IК0. С помощью формул (7) – (10) можно установить связь между тепловыми токами, измеренными в режиме холостого входа и режиме короткого замыкания второго перехода:

Подставляя токи и из (7), (8) в соотношения (9), (10) находим аналитические выражения для статических ВАХ транзистора:

(11)

(12)

Ток базы определяется как разность токов и :

(13)

Формулы (11) – (13) являются математической моделью транзистора.

Модель Эберса-Молла хорошо отражает обратимость транзистора – принципиальную равноправность обоих его переходов. Эта равноправность ярко проявляется в режиме двойной инжекции, когда на обоих переходах действуют прямые напряжения. В таком режиме каждый из переходов одновременно инжектирует носители в базу и собирает носители, дошедшие от другого перехода.

Для активного режима при , формулы (11), (12) упрощаются:

(14)

(15)

Из выражений (14),(15) следует, что в активном режиме коллекторное напряжение не влияет ни на входную, ни на выходную характеристики. При учете токов термогенерации и утечки формула (14) преобразуется в (1).

Date: 2015-05-09; view: 2831; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию