Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)Нелинейная модель, предложенная Эберсом и Моллом, характеризует активную область транзистора, в ней отсутствуют резисторы, отражающие наличие пассивных областей базы и коллектора. Два встречно включенных p-n-перехода транзистора отображаются в виде идеальных диодов с собственными токами I1 и I2, а взаимодействие между ними – в виде генераторов тока aNI1 и aII2 (рис.4), где aN и a I – коэффициенты передачи тока при нормальном и инверсном включениях. Токи диодов описываются выражениями: I1=I¢ЭО(еxp(UЭ/φT) – 1) (7) I2=I¢KО(еxp(UК/φT) – 1) (8) где I¢ЭО, I¢KО – тепловые токи соответствующих переходов при коротком замыкании другого перехода; φT – температурный потенциал. Положительными считаются прямые напряжения на переходах: для p-n-p-транзистора: UЭ=UЭБ,, UК=UКБ, для n-p-n-транзистора: UЭ= -UЭБ, UК= -UКБ.. Из рис. 4 следуют соотношения: . (9) (10) На практике принято измерять тепловые токи, не закорачивая, а обрывая цепь второго перехода. Соответствующие значения обозначают через IЭ0 и IК0. С помощью формул (7) – (10) можно установить связь между тепловыми токами, измеренными в режиме холостого входа и режиме короткого замыкания второго перехода: Подставляя токи и из (7), (8) в соотношения (9), (10) находим аналитические выражения для статических ВАХ транзистора: (11) (12) Ток базы определяется как разность токов и : (13) Формулы (11) – (13) являются математической моделью транзистора. Модель Эберса-Молла хорошо отражает обратимость транзистора – принципиальную равноправность обоих его переходов. Эта равноправность ярко проявляется в режиме двойной инжекции, когда на обоих переходах действуют прямые напряжения. В таком режиме каждый из переходов одновременно инжектирует носители в базу и собирает носители, дошедшие от другого перехода. Для активного режима при , формулы (11), (12) упрощаются: (14) (15) Из выражений (14),(15) следует, что в активном режиме коллекторное напряжение не влияет ни на входную, ни на выходную характеристики. При учете токов термогенерации и утечки формула (14) преобразуется в (1).
|