Проведение измерений

3.1 Снимите прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f (I) стабилитрона при температуре t ₁ = 27⁰С, задавая ток I и фиксируя напряжение U. Ток диода изменяйте от 10 мА до 1 А. Рекомендуемые значения тока: 10, 20, 50, 100, 200, 350, 500, 750, 1000 мА.

3.2 Установить значение температуры окружающей среды равное 57ºС и повторить измерения пункта 3.1.

Для установки температуры в меню Analysis выбрать опцию Analysis options. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной Simulation temperature (TEMP) равное заданной температуре 57 degrees C.
Выполнить измерения и установить прежнее значение температуры 27 degrees C.

Результаты измерений свести в таблицу 2

Табл. 2.

3.3 Перейдите к схеме рис. 2 для исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона. Установить величину сопротивления R в Омах численно равной величине напряжения стабилизации (например, U_СТ = 7,5 В, R = 7 Ом).

Изменяя напряжение источника Е снять обратную ветвь ВАХ стабилитрона I _СТ = ƒ(U _СТ). Рекомендуется следующий ряд напряжений источника Е

0,9·U_СТ, 1,0· U _СТ, 1,1· U _СТ, 1,5· U _СТ, 2· U _СТ, 2,5· U _СТ, и т.д. Напряжение увеличивать до такой величины, пока ток I _СТ не достигнет допустимого для данного диода значения.

Внимание! «0,9· U _СТ» означает, что значение напряжения стабилизации (например 7.5 В) необходимо умножить на 0,5, т.е. 7.5В·0,9 = 6,7 В, далее 7.5В умножить на 1.0 и т.д., округляя результат до целых долей вольта.

Результаты измерений свести в таблицу 3.

При записи результатов учитывать максимальное число знаков вольтметра V!.

3.4 Повысить температуру стабилитрона до 57^оС и вновь снять характеристику.

Замечание. Если повышение температуры до 57⁰С не повлияло на смещение характеристики, то увеличить температуру до 67 или до 77⁰С.

Табл. 3.