Полученные данные измерения занесены в таблицы 2.1, 2.2, 2.3 – для VT1 и в таблицы 2.4, 2.5, 2.6 – для VT2

Рис. 1.1 Эквивалентная схема транзистора с ОЭ

Принципиальная схема макета для исследования выходных вольтамперных характеристик транзисторов в схеме с ОЭ приведена на рис. 2.2 и лицевой панели макета.

Рис. 1.2 Принципиальная схема макета.

При фиксированном значении тока базы I_Б находится ток коллектора I_К и напряжение на коллекторе U_К, т.е. выходную характеристику транзисторов с ОЭ, соответственно, для VT1 (тип МП103Г) и для VT2 (тип МП16).

2.РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ИХ АНАЛИЗ.

Полученные данные измерения занесены в таблицы 2.1, 2.2, 2.3 – для VT1 и в таблицы 2.4, 2.5, 2.6 – для VT2.

Таблицы 2.1, 2.2, 2.3 – Зависимость тока коллектора от напряжения коллектора для трех значений тока базы транзистора VT1.

Таблицы 2.4, 2.5, 2.6 – Зависимость тока коллектора от напряжения коллектора для трех значений тока базы транзистора VT2.

Используя данные таблиц 2.1-2.6, построим графики зависимостей для транзистора VT1 и транзистора VT2:

График 2.1 – Статическая выходная характеристика транзистора VT1 в схеме с ОЭ.

График 2.2 – Статическая выходная характеристика транзистора VT2 в схеме с ОЭ.

При напряжении коллектора -5В рассчитаем дифференциальный и интегральный коэффициент передачи тока базы для VT 1:

Для транзистора VT 2 при минимальном значении тока базы (50 мкА) сопротивление коллекторного перехода следующее:

Таблица 2.7 – Зависимость сопротивления коллектора от напряжения.

Используя данные таблицы 2.7, построим зависимость сопротивления коллектора от напряжения коллектора:

График 2.3- Зависимость сопротивления коллектора от напряжения коллектора.

ВЫВОД

В схеме с ОЭ выходным током является ток коллектора, а входным – ток базы. Исследуемая зависимость тока коллектора от напряжения коллектора является статической выходной характеристикой транзисторов в активном режиме (напряжение коллектора отрицательное). Полученные кривые коллекторного семейства не регулярны, не пересекают ось ординат, полностью расположены в первом квадранте. При больших коллекторных токах кривые сгущаются.

На статических выходных характеристиках видно, что оба транзистора имеют практически одинаковый коэффициент усиления.

Дифференциальное сопротивление коллектора, как видно из графика, при напряжениях больше 4В, то есть на линейном участке графиков ВАХ, является практически постоянной величиной.

С увеличением тока эмиттера в базе возрастает концентрация неосновных носителей, инжектированных из эмиттера. За счёт возрастания инжектируемых носителей заряда возрастает ток через коллекторный переход. Увеличение тока коллектора с возрастанием напряжения коллектора происходит до тех пор, пока напряжение коллектора не станет равным напряжению пробоя.

Таким образом, напряжение базы управляет током коллектора. За счет этого возможно усиление сигнала транзистором в схеме с ОЭ.

Зависимость сопротивления коллектора от напряжения коллектора характеризует поверхностные утечки и эффект ударной ионизации в коллекторном переходе. Поверхностные утечки обусловлены поверхностными энергетическими уровнями, способствующими активной генерации – рекомбинации. Эффект ударной ионизации обусловлен разрывом валентных связей атома полупроводника, расположенного в области перехода под действием электрона и дырки, ускоренных полем. Сопротивление оказывается меньше ожидаемого значения, с ростом напряжения уменьшается.

Достоинство схемы ОЭ – удобство питания ее от одного источника, поскольку на коллектор и базу подаются питающие напряжения одного знака.