Методические указания. Характеристики биполярного транзистора p-n-p типа исследуются по схеме, приведенной на рис 2.3. Рисунок 2.3 – Схема для исследования статических

Характеристики биполярного транзистора p-n-p типа исследуются по схеме, приведенной на рис 2.3.

Рисунок 2.3 – Схема для исследования статических характеристик биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером

1. Запустив п. 1. Семейство входных ВАХ биполярного транзистора получить и записать данные.

2. Запустив п. 2. Семейство выходных ВАХ биполярного транзистора получить и записать данные.

3. Для построения характеристик управления на выходных характеристиках следует провести прямые U_кэ=const и по точкам их пересечения с выходными характеристиками построить характеристики управления при заданных значениях U_кэ или воспользоваться каким-либо математическим пакетом, например MathCAD.

4. Коэффициент передачи тока базы β определяется графически по наклону характеристики управления при U_кэ=const, I_к=const по формуле:

,

или при использование математического пакета.

5. Входное сопротивление определяется по входной характеристике графически при U_кэ=const, I_б=const по формуле:

;

выходное сопротивление определяется по выходной характеристике графически при U_кэ=const, I_б=const по формуле:

;

или при использование математического пакета.