Анализ результатов измерений. 1. Для области активной работы транзистора постройте зависимости входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером rвх = ∆ UБЭ / ∆ от

1. Для области активной работы транзистора постройте зависимости входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером r_вх = ∆ U_БЭ / ∆ от тока базы и напряжения базы U_БЭ. Сравните полученную зависимость с аналогичной для транзистора, включенного по схеме с общей базой.

2. Постройте зависимость выходного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером r_вых=∆ /∆ от напряжения (при различных значениях отпирающего тока базы).

3. Постройте зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером β от тока базы и тока эмиттера.

3. Сравните экспериментально полученные вольт-амперные характеристики транзистора, включенного с общим эмиттером, с рассчитанными, объясните различия.

Контрольные вопросы

1. Как определить на характеристиках, снятых в схемах с общим эмиттером, границы активной области, области насыщения и области отсечки?

2. В чем основные различия статистических характеристик транзистора, включенного в схеме с общей базой от транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером?

3. Почему усилительные каскады с транзистором в схеме c общим эмиттером используются значительно чаще, чем каскады с транзистором в схеме с общей базой?

Date: 2015-05-08; view: 595; Нарушение авторских прав