Лабораторная работа № 4. Исследование статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Цель работы: изучение принципа работы и приобретение навыков экспериментального исследования ВАХ биполярного полупроводниковых транзисторов.

В транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, имеет место усиление не только по напряжению, но и по току. В соответствии с первым законом Кирхгофа , , , отсюда с учетом сквозного теплового тока:

. (4.1)

Это выражение определяет семейство выходных ВАХ (рисунок 4.1,а) транзистора с ОЭ (зависимости от при = const). Множитель перед током – коэффициент усиления по току транзистора с ОЭ, он называется коэффициентом передачи тока базы = /(1- ). У изготавливаемых промышленностью транзисторов типичные значения α_N лежат в диапазоне от 0,9 до 0,995, что соответствует от 9 до 200.

аб

Рис. 4.1. Выходные передаточные ВАХ p-n-p-транзистора с ОЭ

Коэффициент усиления по мощности транзистора с ОЭ может быть значительным, так как имеется усиление и по току, и по напряжению, поэтому в большинстве усилительных каскадов используется транзистор с ОЭ.

Семейство входных характеристик транзистора с ОЭ (рисунок 4.1, б) представляет собой зависимость (U_БЭ) при постоянном . Входное сопротивление транзистора с ОЭ больше входного сопротивления транзистора с ОБ в ( +1) раз.

При домашней подготовке необходимо изучить характеристики транзистора при различных схемах включения, рассмотреть особенности работы реальных транзисторов.