Исследование транзистора в схеме с ОЭ

1.1. Снимем входную характеристику транзистора (зависимость тока базы I_б от напряжения база-эмиттер U_бэ, см. рис. 3). Для этого включим тумблер «Сеть», подадим напряжение на первую работу тумблером «Номер работ», тумблер SA1 поставим в положение «ОЭ», SA5 – положение «+U_к», тумблер SA4 – в положение «U_к». Включим в гнезда Г1 мультиметр M-838 в режиме измерения постоянного напряжения и с помощью потенциометра U_к выставим напряжение между эмиттером и коллектором транзистора 5 В. Затем поставим тумблер SA4 в положение «U_б, U_э», при котором вольтметром измеряется напряжение U_бэ, и, изменяя с помощью переключателя SA2 ток базы от 1 до 10 мкА, снимем зависимость U_бэ от I_б таблица 1. Построим входную характеристику транзистора с ОЭ Рис. 5.

Рис. 3

1.2. Снимем семейство выходных характеристик транзистора (зависимость тока коллектора I_к от напряжения коллектор-эмиттер U_кэ при различных токах базы I_б, Рис. 4). Для этого тумблер SA4 поставим в положение «U_к», SA2 – в положение «I мкА» и, изменяя напряжение на коллекторе с помощью потенциометра U_к от 0 до 12 В, снимем зависимость тока коллектора I_к от U_к. Ток коллектора измеряется миллиамперметром, расположенным на вертикальной панели макета, причем необходимый предел измеряемого тока и его полярность устанавливается соответствующими переключателями, расположенными также на вертикальной панели макета. Результаты измерения запишим в таблицу 2.Построим семейство выходных характеристик транзистора Рис. 6.

Рис. 4

1.4. Измерием емкости коллектор-база С_к и коллектор-подложка интегрального транзистора. Для этого подключим к разъему Х1 генератор Г4-102, а к гнезду Х2 – высокочастотный вольтметр. Тумблеры SA7 и SA6 поставить в нижнее положение. Установим с помощью выходного аттенюатора Г4-102 максимальное выходное напряжение генератора и, изменяя частоту генератора, настроим его на резонансную частоту контура по максимальному показанию ВЧ вольтметра. Запишем измеренную собственную резонансную частоту ƒ₀ колебательного контура по показанию частотомера и поставим тумблер SA6 в положение «Изм. С». При этом к контуру подключается емкость коллектор-базового перехода транзистора. Внесенная емкость изменит частоту настройки контура. Вновь настроим генератор в резонанс и определим смещенную частоту настройки ƒ¢₀. Зная емкость контура С = 100 пФ, собственную частоту контура ƒ₀=5,4МГц и смещенную частоту ƒ¢₀=5,2МГц, определим емкость из соотношений:

, ,

пФ

Аналогично определить емкость С_кп, для чего поставим тумблер SA6 в нижнее положение, а SA7 – в положение «Изм. С», определим новую смещенную частоту ƒ¢¢₀=5,1МГц и рассчитаем С_кп.

пФ

1.5. Измерием сопротивление коллектор-подложка интегрального транзистора. Для этого поставим тумблер SA7 в нижнее положение, подключим вход омметра прибора В7-26 к гнезду Г2 (соблюдая полярность, т.е. заземленную клемму В7-26 соединим с заземленной клеммой гнезда 2) и, изменяя положение переключателя множителя омметра, измерием сопротивление R_кп