Внимание!

Подачу на схему напряжения производить только после проверки схемы преподавателем!

9. Снимите входные характеристики транзистора I_б=f(U_бэ) при U_кэ=Соnst.

Замеры проводить при значениях:

U_кэ= 0 ¸ 10 B;

U_бэ= 0 ¸ 1 B.

Результаты испытаний свести в таблицу № 1.

Таблица № 1. Входные характеристики биполярного транзистора.

10. Снимите выходные характеристики транзистора I_к=f(U_кэ) при I_б=Соnst.

Замеры проводить при значениях:

I_б = 0 ¸ 350 μА;

U_кэ= 0 ¸ 10 B.

Результаты испытаний свести в таблицу № 2.

Таблица № 2. Выходные характеристики биполярного транзистора.

11. Постройте входные и выходные характеристики.

12. Используя входные и выходные характеристики транзистора определите h-параметры транзистора.

13. Приведите в порядок рабочее место.

14. Результаты работы покажите преподавателю.

15. Оформите отчет по лабораторной работе.

Задание для отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

1. Наименование работы.

2. Цель работы.

3. Используемые приборы и оборудование.

4. Результаты выполнения заданий.

5. Требуемые таблицы, рисунки, схемы.

6. Выводы по работе.

Контрольные вопросы и задания:

1. Какие структуры биполярных транзисторов вы знаете?

2. Какая схема включения транзистора имеет наибольший коэффициент усиления по току?

3. Почему схема включения с ОЭ наиболее распространена?

4. Привести условные графические изображения транзисторов различных типов?

5. Какой из рn-переходов транзистора обычно имеет большую площадь и почему?

6. Как называется статические характеристики транзистора, записанные в виде:

I_б=f(U_бэ) при U_кэ=Const

I_э=f(U_эб) при U_кб=Const

I_к=f(U_кб) при I_э=Const

I_к=f(U_кэ) при I_б=Const