Прийняті скорочення

Практичні рекомендації

Описані процеси являють собою деяку складність при засвоєнні, бо включають багато ілюстраційного матеріалу, який до здачі іспиту необхідно добре запам’ятати (конспектами та іншими інформаційними матеріалами під час іспиту користуватися суворо заборонено).

Тому студентам рекомендується повторювати даний матеріал (з відтворенням необхідних формул, схем, рисунків) до тих пір, доти зможуть подати відповідь на кожне питання безпомилково.

ЗМІСТ

1. Вступ………………………………………….…………..4

2. Основна частина………………………...………………..5

2.1 Послідовність формування та схема технологічного процесу дифузійно-планарних ІМ……….…............5

2.2 Послідовність формування та схема технологічного процесу епітаксійно-планарних ІМ………….…….8

2.3 Послідовність формування та схема технологічного процесу V-канальних НІМС……………………...11

2.4 Послідовність формування та схема технологічного процесу виготовлення НІМС з діелектричною ізоляцією……………………………………………15

2.5 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом термічної ………………...........................................19

2.6 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом іонної імплантації………………………………...23

2.7 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення ІМС………………………....26

2.8 Загальна характеристика фотолітографічного процесу………….......................................................29

2.9 Схема технологічного процесу виготовлення товстоплівкових ГІМС. Характеристика та трафаретний друк товстоплівкових елементів…...34

2.10 Загальна характеристика методів та етапів складання ІМС……………………………………...38

3. Список рекомендованої літератури…………………...43

ВСТУП

Дисципліна „Технологічні основи електроніки” пов’язана з вивченням студентами новітніх технологій виготовлення електронних приладів та процесів, що з ними пов’язані.

Становлення електроніки можна віднести до початку ХХ ст., коли було винайдено електронну лампу-діод (1904 р.). Пізніше, в 1948 р., був винайдений напівпровідниковий транзистор, що сприяло розвиткові напівпровідникової електроніки.

Новий поштовх розвитку електроніки надали інтегральні мікросхеми, промисловий випуск яких розпочався в 60-х роках минулого століття.

Мікросхема являє собою діелектричну підкладку (кераміка, алюмокераміка і ін.), на якій розташовані пасивні та активні елементи, що утворюють електричну схему, яка виконує визначену функцію. До пасивних елементів відносяться провідники, контактні площинки, резистори, конденсатори, котушки індуктивності; до активних – напівпровідникові елементи (діоди, тріоди, багатоелектродні елементи). Товщина плівкових пасивних елементів в тонкоплівкових мікросхемах – біля одного мікрометра, в товстоплівкових – від 10 до 70 мкм.

Напівпровідникові прилади та інтегральні мікросхеми одержують шляхом формування елементів в тонкому шарі напівпровідникової пластини.

Сучасний розвиток технології та матеріалів дозволяє створювати надвеликі інтегральні схеми, які стали основними компонентами мікропроцесорів і електронних обчислювальних машин. Такі схеми широко використовуються в побутових, комунікаційних, медичних, енергетичних, транспортних, військових, космічних та інших приладах і системах. Безперервне вдосконалення техніки і технології виробництва, розроблення нових схем, систем і засобів проектування зумовило швидке зростання продуктивності і зменшення вартості мікросхем.

В даному посібнику подані варіанти відповідей на питання державного іспиту. Для розуміння викладеного матеріалу необхідні знання з фізики, фізичної хімії, фотохімії, технології виготовлення мікросхем, мікроелектроніки.

Прийняті скорочення

ІМС – інтегральна мікросхема;

НІМС – напівпровідникова інтегральна мікросхема;

ВІС – велика інтегральна мікросхема;

НВІС – надвелика інтегральна мікросхема;

ІЧ – інфрачервоне випромінювання;

УФ- промені – ультрафіолетові промені;

ВЧ - висока частота;

НВЧ – надвисока частота.