Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как противостоять манипуляциям мужчин? Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






МОН-транзистор з вбудованим каналом (Depletion MOSFETs)





 

Подібно польовим транзисторам з керуючим р-n переходом (JFET), МОН-транзистор з вбудованим каналом складається з протяжної області напівпровідника, що називається каналом. Для р-канального транзистора ця область є напівпровідником р-типа, для n-канального транзистора – n-типу. Вільні електрони від джерела до стоку повинні пройти через цей вузький канал, що закінчується по обидва боки електродами, що називаються джерелом і стоком.

Металевий затвор МОН-транзистора ізольований від каналу тонким шаром двоокису кремнію так, що струм затвора під час роботи дуже малий. Чим більша негативна напруга затвор-джерело прикладене до n-канального транзистора, тим більше канал збіднюється електронами провідності, струм стоку при цьому зменшується. При значенні напруги затвор-джерело Vgs(off) канал цілком збіднений, і струм від джерела до стоку припиняється. Напруга Vgs(off) називається напругою відсічення. З іншого боку, чим більша позитивна напруга затвор-джерело, тим більший розмір каналу, що приводить до збільшення струму. Р-канальний транзистор працює аналогічно, але при протилежних полярностях напруги.

 

 
 


Трививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 
 


Трививідний Р-канальный MOSFET

із вбудованим каналом

 

 
 


Чотирививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 

 
 


Чотирививідний Р-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 

 

МОН-транзистори з індукованим каналом

(Enhancement MOSFETs)

 

Ці МОН-транзистори не мають фізичного каналу між джерелом і стоком, як МОН-транзистори з вбудованим каналом. Замість цього область провідності може розширятися на весь шар двоокису кремнію.

МОН-транзистор з індукованим каналом працює тільки при позитивній напрузі джерело-затвор. Позитивна напруга джерело-затвор, що перевищує мінімальне граничне значення (Vto), створює інверсійний шар в області провідності, суміжної із шаром двоокису кремнію. Провідність цього індукованого каналу збільшується при збільшенні позитивної напруги затвор-джерело. МОН-транзистори з індукованим каналом використовуються переважно в цифрових схемах і схемах з високим ступенем інтеграції (БІС).



 

 

Трививідний N-канальний MOSFET

с індукованим каналом

 

 
 


Трехвыводной Р-канальный MOSFET

с індукованим каналом

 


 

Чотирививідний N-канальний MOSFET

з індукованим каналом

 

 

Чотирививідний Р-канальный MOSFET

з індукованим каналом

 

 

Цифрові елементи

Цифрові елементи програми представлені наступними групами:

Індикатори, логічні елементи, вузли комбінаційного типу, вузли послідовного типу, гібридні елементи.

 

Індикатори

 

       
 
   
 


Семисегментний індикатор (ССІ)

 

 

Кожний із семи виводів індикатора керує відповідним сегментом, від а до g. У таблиці функціонування приведені комбінації логічних рівнів, які потрібно установити на вході індикатора, щоб на його дисплеї одержати зображення шістнадцятькових цифр від 0 до F.

Найменування сегментів семисегментного індикатора:

 
 

 


Таблиця функціонування

а b c d e f g символ на дисплеї
-
А
b
C
d
Е
F








Date: 2015-05-04; view: 210; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2018 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию