Главная Случайная страница



Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника







МОН-транзистор з вбудованим каналом (Depletion MOSFETs)





 

Подібно польовим транзисторам з керуючим р-n переходом (JFET), МОН-транзистор з вбудованим каналом складається з протяжної області напівпровідника, що називається каналом. Для р-канального транзистора ця область є напівпровідником р-типа, для n-канального транзистора – n-типу. Вільні електрони від джерела до стоку повинні пройти через цей вузький канал, що закінчується по обидва боки електродами, що називаються джерелом і стоком.

Металевий затвор МОН-транзистора ізольований від каналу тонким шаром двоокису кремнію так, що струм затвора під час роботи дуже малий. Чим більша негативна напруга затвор-джерело прикладене до n-канального транзистора, тим більше канал збіднюється електронами провідності, струм стоку при цьому зменшується. При значенні напруги затвор-джерело Vgs(off) канал цілком збіднений, і струм від джерела до стоку припиняється. Напруга Vgs(off) називається напругою відсічення. З іншого боку, чим більша позитивна напруга затвор-джерело, тим більший розмір каналу, що приводить до збільшення струму. Р-канальний транзистор працює аналогічно, але при протилежних полярностях напруги.

 

 
 


Трививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 
 


Трививідний Р-канальный MOSFET

із вбудованим каналом

 

 
 


Чотирививідний N-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 

 
 


Чотирививідний Р-канальний MOSFET

із вбудованим каналом

 

 

МОН-транзистори з індукованим каналом

(Enhancement MOSFETs)

 

Ці МОН-транзистори не мають фізичного каналу між джерелом і стоком, як МОН-транзистори з вбудованим каналом. Замість цього область провідності може розширятися на весь шар двоокису кремнію.

МОН-транзистор з індукованим каналом працює тільки при позитивній напрузі джерело-затвор. Позитивна напруга джерело-затвор, що перевищує мінімальне граничне значення (Vto), створює інверсійний шар в області провідності, суміжної із шаром двоокису кремнію. Провідність цього індукованого каналу збільшується при збільшенні позитивної напруги затвор-джерело. МОН-транзистори з індукованим каналом використовуються переважно в цифрових схемах і схемах з високим ступенем інтеграції (БІС).



 

 

Трививідний N-канальний MOSFET

с індукованим каналом

 

 
 


Трехвыводной Р-канальный MOSFET

с індукованим каналом

 


 

Чотирививідний N-канальний MOSFET

з індукованим каналом

 

 

Чотирививідний Р-канальный MOSFET

з індукованим каналом

 

 

Цифрові елементи

Цифрові елементи програми представлені наступними групами:

Індикатори, логічні елементи, вузли комбінаційного типу, вузли послідовного типу, гібридні елементи.

 

Індикатори

 

       
 
   
 


Семисегментний індикатор (ССІ)

 

 

Кожний із семи виводів індикатора керує відповідним сегментом, від а до g. У таблиці функціонування приведені комбінації логічних рівнів, які потрібно установити на вході індикатора, щоб на його дисплеї одержати зображення шістнадцятькових цифр від 0 до F.

Найменування сегментів семисегментного індикатора:

 
 

 


Таблиця функціонування

а b c d e f g символ на дисплеї
-
А
b
C
d
Е
F








Date: 2015-05-04; view: 448; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2021 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию