Помножувач напруг

Помножувач перемножує дві вхідних напруги Vx і Vy. Вихідна напруга Vout розраховується за формулою:

Vout = k · Vx · Vy,

де k – константа множення, що може встановлюватися користувачем.

Біполярні транзистори

Біполярні транзистори є підсилювальними пристроями, керованими струмом. Вони бувають двох типів: P-N-P і N-P-N.

Букви означають тип провідності напівпровідникового матеріалу, з якого виготовлений транзистор. У транзисторах обох типів стрілкою відзначається еміттер, напрямок стрілки вказує напрямок протікання струму.

N-P-N транзистор має дві n-області

(колектор С и еміттер Е)

і одну р-область (базу В).

P-N-P транзистор має дві р-області

(колектор С и еметтер Е)

і одну n-область (базу В).

Польові транзистори (FET)

Польові транзистори керуються напругою на затворі, тобто струм, що протікає через транзистор, залежить від напруги на затворі. Полевой транзистор містить у собі протяжну область напівпровідника n-типу або р-типу, що називається каналом. Канал закінчується двома електродами, що називаються джерелом і стоком. Крім каналу n- або р-типа, польовий транзистор містить у собі область із протилежним каналові типом провідності. Електрод, з'єднаний з цією областю, називають затвором. Для польових транзисторів у Electronics Workbench виділене спеціальне поле компонентів FET. У програмі є моделі польових транзисторів трьох типів: транзисторів з керуючим р-n переходом (JFET) і двох типів транзисторів на основі металооксидної плівки (МОН-транзистори або MOSFET): МОН-транзистори з вбудованим каналом (Depletion MOSFETs) і МОН-транзистори з індукованим каналом (Enhancement MOSFETs).

Польові транзистори з керуючим р-n переходом (JFET)

Польовий транзистор з керуючим р-n переходом (JFET) – уніполярний транзистор, керований напругою, у якому для керування струмом використовується наведене електричне поле, що залежить від напруги затвора.

Для n-канального польового транзистора з керуючим р-n переходом чим більш негативною буде напруга, що прикладається до затвора, тим менше буде струм.

Польові транзистори з керуючим

Date: 2015-05-04; view: 508; Нарушение авторских прав