Памяти с восстановлением ошибок. Применяется в некоторых сис-

Темных платах с соответствующими наборами микросхем для особо

Критичных к надежности функционирования компьютеров. В ос-

Новном это серверы и мощные графические станции с большими

Объемами памяти. В этом режиме возможно исправление только

Одиночных ошибок, т. е. ошибку в одном бите из 64, которые счи-

Тывает процессор.

ЕСР (Enhanced Capability Port) —порт с расширенными возможностя-

Ми, отличается от стандартного принтерного порта с интерфейсом

Centronics тем, что передаваемая информация разделяется на ко-

Манды и данные с поддержкой режима DMA и кодирования по ме-

Тоду RLE (Run-Length Encoding —кодирование повторяющихся по-

Следовательностей данных).

ED (Extra High Density) —сверхвысокая плотность записи (на дискетах).

EDO DRAM (Extended Data Output DRAM) —DRAM с уменьшенным

Временем доступа к данным Extended Data Output DRAM при рабо-

Те на запись не дает никаких преимуществ по сравнению с FPM

DRAM, но требует существенно меньше времени при чтении за

Счет того, что данные удерживаются на выходе микросхемы EDO

DRAM дольше, чем в FPM DRAM. EDO (как и FPM) не дает ника-

Ких преимуществ при произвольной выборке данных из памяти, но

Такая ситуация возникает крайне редко. На микросхемах EDO

Приложение 2

DRAM указывается время доступа в наносекундах к данным в слу-

Чайном порядке.

EDRAM(Enhanced DRAM) —усовершенствованная DRAM.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) —электрически сти-

Раемое программируемое ПЗУ.

EIDE-контроллер (Enhanced IDE) —улучшенный EIDE-контроллер.

EISA (Extended Industry Standard Architecture) —устройство шины, кото-

Рое позволяет использовать 32-разрядные адаптеры и допускает не-

Которое автоматическое распознавание и конфигурирование уст-

Ройств.

EMM (Expanded Memory Manager) —менеджер дополнительной памяти.