Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Указанные особенности дают микропроцессору возможность
Более быстрого доступа к последовательным адресам, чем это мож- Но сделать при других способах использования технологии SRAM. Хотя у некоторых поставщиков и имеется асинхронная SRAM 3 3V Со временем таймер-данные, равным 15 не, конвейерная синхрон- Ная пакетная SRAM, выполненная по такой же технологии, может Обеспечить время таймер-данные менее 6 не. РВ SRAM (Конвейерная пакетная статическая память). Конвей- Ер —это распараллеливание операций SRAM с использованием Входных и выходных регистров. Заполнение регистров требует до- Полнительного начального цикла, но, будучи однажды заполненны- Ми, регистры обеспечивают быстрый переход к следующему адресу За то время, пока по текущему адресу считываются данные. Благодаря этому такая память является наиболее быстрой Кэш-памятью для систем с производительностью шины более МГц. РВ SRAM может работать при частоте шины до 133 МГц. Она, кроме того, работает не намного медленнее, чем синхронная пакетная SRAM при использовании в медленных системах: она вы- Дает данные все время пакетами по 3———. Насколько высока Производительность этой памяти, можно видеть по времени ад- рес/данные, которое составляет от 4,5 до 8 не. Т SRAM. Как уже отмечалось ранее, традиционные конструк- Ции SRAM используют статический триггер для запоминания одно- Го разряда (ячейки). Для реализации одной такой схемы на плате Должно быть размещено от 4 до 6 транзисторов (4-Т, 6-Т SRAM). Фирма Monolithic System Technology (MoSys) объявила о создании Нового типа памяти, в которой каждый разряд реализован на одном Транзисторе (1-Т SRAM). Фактически здесь применяется техноло- Гия DRAM, поскольку приходится осуществлять периодическую ре- Генерацию памяти. Однако интерфейс с памятью выполнен в стан- Date: 2015-11-13; view: 425; Нарушение авторских прав |