Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Указанные особенности дают микропроцессору возможность





Более быстрого доступа к последовательным адресам, чем это мож-

Но сделать при других способах использования технологии SRAM.

Хотя у некоторых поставщиков и имеется асинхронная SRAM 3 3V

Со временем таймер-данные, равным 15 не, конвейерная синхрон-

Ная пакетная SRAM, выполненная по такой же технологии, может

Обеспечить время таймер-данные менее 6 не.

РВ SRAM (Конвейерная пакетная статическая память). Конвей-

Ер —это распараллеливание операций SRAM с использованием

Входных и выходных регистров. Заполнение регистров требует до-

Полнительного начального цикла, но, будучи однажды заполненны-

Ми, регистры обеспечивают быстрый переход к следующему адресу

За то время, пока по текущему адресу считываются данные.

Благодаря этому такая память является наиболее быстрой

Кэш-памятью для систем с производительностью шины более

МГц. РВ SRAM может работать при частоте шины до 133 МГц.

Она, кроме того, работает не намного медленнее, чем синхронная

пакетная SRAM при использовании в медленных системах: она вы-

Дает данные все время пакетами по 3———. Насколько высока

Производительность этой памяти, можно видеть по времени ад-

рес/данные, которое составляет от 4,5 до 8 не.

Т SRAM. Как уже отмечалось ранее, традиционные конструк-

Ции SRAM используют статический триггер для запоминания одно-

Го разряда (ячейки). Для реализации одной такой схемы на плате

Должно быть размещено от 4 до 6 транзисторов (4-Т, 6-Т SRAM).

Фирма Monolithic System Technology (MoSys) объявила о создании

Нового типа памяти, в которой каждый разряд реализован на одном

Транзисторе (1-Т SRAM). Фактически здесь применяется техноло-

Гия DRAM, поскольку приходится осуществлять периодическую ре-

Генерацию памяти. Однако интерфейс с памятью выполнен в стан-







Date: 2015-11-13; view: 425; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию