Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Определение напряжения источников питанияВ эмиттерной цепи транзисторов оконечного каскада (VT7, VT8) включены стабилизирующие резисторы R12= R13. C учётом этих резисторов напряжение одного источника питания (или суммы двух источников E = US1 + US2 при двуполярном питании) в режиме работы усилителя в классе В равно: где ξ = 0,95–коэффициент использования напряжения источника питания, Обычно принимают R12 = R13 = 0,05RН
Окончательно принимают стандартные значения напряжений US1 = US2 из ряда: 9; 12; 15; 20; 24; 30; 36 В.
2. Расчёт коллекторной цепи транзисторов (VT7, VT8) оконечного каскада. Амплитудное и действующее значения напряжения на нагрузке:
UH m = US1 / (1,1…1,2) UH = UH m / √2
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером UKЭ max ≈ Е Максимальный ток коллектора IK8 max = UH m / RH Постоянная составляющая тока коллектора
Мощность, потребляемая от источника питания
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора
Для оконечного каскада выбираются транзисторы, с паспортными параметрами [8,9, 15], превышающими расчетные::
РK max ПАСП > РK8 max; IK max ПАСП > IK8 max; UKЭ max ПАСП > UKЭ max
Исходя из рис.2, ток коллекторов транзисторов VT7 и VT8 в режиме покоя (для данного примера): ; Токи базы оконечных транзисторов , где, h21 E – паспортное значение динамического коэффициента усиления выбранных транзисторов по току.
3. Расчёт цепей транзисторов VT5 и VT6:
Наибольший ток коллектора (рис.2) IК5 max = IК6 max = IБ7 max = 43 мА. Наибольшая рассеиваемая на коллекторе мощность , где: IБ7 СР = IK5 СР = IБ7 max /π Наибольшее напряжение Выбираем (комплементарные пары транзисторов, например, типов КТ361В (p-n-p) и КТ315В (n-p-n), КТ502В (p-n-p) и КТ503В (n-p-n) с параметрами: , , , , h21E. Максимальный ток базы транзисторов VT5 и VT6 IБ5 max = IК5 max / h21E Ток базы покоя IБ5 Q = IК5 Q / h21E
Сопротивления резисторов R10, R11: Считая IK5 СР ≈ IЭ5 СР, получим , где: UR12 = IK7 СР *R12 . Выбираем по ряду Е24.
4. Расчёт параметров цепей смещения:
Напряжение смещения Иначе: , т.е.: R6 /R7 = (UСМ/UR6) – 1 Задаваясь током = (0,2…0,5) мА и принимая R7 = 3 кОм, получим R6, в качестве которого выбираем подстроечный резистор с сопротивлением, большим расчетного (по ряду Е6).
5. Расчет параметров для выбора транзистора VT3. Наибольший ток коллектора транзистора VT3 (для данного примера) Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение UКЭ max = (US1 + UСМ/2) Выбираем транзистор, например типа, КТ3107И, со следующими паспортными параметры: , , , , 200.
6. Расчет параметров для выбора транзистора VT4.
Наибольший ток коллектора транзистора VT4
Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе Выбираем транзистор, например, КТ3102Д с паспортными параметрами: , , , , 200.
|