Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Определение напряжения источников питания

В эмиттерной цепи транзисторов оконечного каскада (VT7, VT8) включены стабилизирующие резисторы R12= R13.

C учётом этих резисторов напряжение одного источника питания (или суммы двух источников E = US1 + US2 при двуполярном питании) в режиме работы усилителя в классе В равно:

где ξ = 0,95–коэффициент использования напряжения источника питания,

Обычно принимают

R12 = R13 = 0,05RН

 

Окончательно принимают стандартные значения напряжений US1 = US2 из ряда: 9; 12; 15; 20; 24; 30; 36 В.

 

2. Расчёт коллекторной цепи транзисторов (VT7, VT8) оконечного каскада.

Амплитудное и действующее значения напряжения на нагрузке:

 

UH m = US1 / (1,1…1,2) UH = UH m / √2

 

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером

UKЭ max ≈ Е

Максимальный ток коллектора

IK8 max = UH m / RH

Постоянная составляющая тока коллектора

Мощность, потребляемая от источника питания

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора

Для оконечного каскада выбираются транзисторы, с паспортными параметрами [8,9, 15], превышающими расчетные::

 

РK max ПАСП > РK8 max; IK max ПАСП > IK8 max; UKЭ max ПАСП > UKЭ max

 
 

 

 


Исходя из рис.2, ток коллекторов транзисторов VT7 и VT8 в режиме покоя (для данного примера):

;

Токи базы оконечных транзисторов

,

где, h21 E паспортное значение динамического коэффициента усиления выбранных транзисторов по току.

 

3. Расчёт цепей транзисторов VT5 и VT6:

 

Наибольший ток коллектора (рис.2)

IК5 max = IК6 max = IБ7 max = 43 мА.

Наибольшая рассеиваемая на коллекторе мощность

,

где: IБ7 СР = IK5 СР = IБ7 max

Наибольшее напряжение

Выбираем (комплементарные пары транзисторов, например, типов

КТ361В (p-n-p) и КТ315В (n-p-n),

КТ502В (p-n-p) и КТ503В (n-p-n)

с параметрами:

, , ,

, h21E.

Максимальный ток базы транзисторов VT5 и VT6

IБ5 max = IК5 max / h21E

Ток базы покоя

IБ5 Q = IК5 Q / h21E

 

Сопротивления резисторов R10, R11:

Считая IK5 СР ≈ IЭ5 СР, получим

,

где: UR12 = IK7 СР *R12 .

Выбираем по ряду Е24.

 

4. Расчёт параметров цепей смещения:

 

Напряжение смещения

Иначе:

,

т.е.: R6 /R7 = (UСМ/UR6) – 1

Задаваясь током = (0,2…0,5) мА и принимая R7 = 3 кОм, получим R6, в качестве которого выбираем подстроечный резистор с сопротивлением, большим расчетного (по ряду Е6).

 

5. Расчет параметров для выбора транзистора VT3.

Наибольший ток коллектора транзистора VT3 (для данного примера)

Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе

Напряжение UКЭ max = (US1 + UСМ/2)

Выбираем транзистор, например типа, КТ3107И, со следующими паспортными параметры:

, , ,

, 200.

 

6. Расчет параметров для выбора транзистора VT4.

 

Наибольший ток коллектора транзистора VT4

 

Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе

Выбираем транзистор, например, КТ3102Д с паспортными параметрами:

, , ,

, 200.

 


<== предыдущая | следующая ==>
Расчёт предоконечной ступени | Сопротивление

Date: 2015-10-19; view: 296; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.01 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию