Главная
Случайная страница
Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Схемы включения биполярного транзистора
В предыдущей схеме электрическая цепь, образованная источником UЭБ, эмиттером и базой транзистора, называется входной, а цепь, образованная источником UКБ, коллектором и базой этого же транзистора,— выходной. База является общим электродом транзистора для входной и выходной цепей, поэтому такое его включение называют схемой с общей базой, или сокращенно «схемой ОБ».
На следующем рисунке изображена схема, в которой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер. Это схема включения с общим эмиттером, или сокращенно «схема ОЭ».
В ней выходным током, как и в схеме ОБ, является ток коллектора IК, незначительно отличающийся от тока эмиттера Iэ, а входным — ток базы IБ, значительно меньший, чем коллекторный ток. Связь между токами IБ и IК в схеме ОЭ определяется уравнением: IК = h21 Е IБ + I КЭО Коэффициент пропорциональности h21 Е называют статическим коэффициентом передачи тока базы. Его можно выразить через статический коэффициент передачи тока эмиттера h21Б h21 Е = h21Б / (1 — h21Б) Если h21Б находится в пределах 0,9...0,998, соответствующие значения h21 Е будут в пределах 9...499. Составляющая I кэо называется обратным током коллектора в схеме ОЭ. Ее значение в 1+ h21 Е раз больше, чем I КБО, т. е. I КЭО=(1+ h21 Е) I КБО. Обратные токи I КБО и I КЭО не зависят от входных напряжений UЭБ и UБЭ и вследствие этого называются неуправляемыми составляющими коллекторного тока. Эти токи сильно зависят от температуры окружающей среды и определяют температурные свойства транзистора. Установлено, что значение обратного тока I КБО удваивается при повышении температуры на 10 °С для германиевых и на 8 °С для кремниевых транзисторов. В схеме ОЭ температурные изменения неуправляемого обратного тока I КЭО могут в десятки и сотни раз превысить температурные изменения неуправляемого обратного тока I КБО и полностью нарушить работу транзистора. Поэтому в транзисторных схемах применяются специальные меры термостабилизации транзисторных каскадов, способствующие уменьшению влияния температурных изменений токов на работу транзистора. На практике часто встречаются схемы, в которых общим электродом для входной и выходной цепей транзистора является коллектор. Это схема включения с общим коллектором, или «схема ОК» (эмиттерный повторитель).
Независимо от схемы включения транзистора для него всегда справедливо уравнение, связывающее токи его электродов: Iэ = Iк + IБ.
|