Влияние процессов распыления поверхности образцов на форму концентрационного профиля

9.1.Какие факторы влияют на формирование профилей при высоких флюенсах имплантации.

9.2.Поясните явление распыления поверхности ионами.

9.3.Определение коэффициента и скорости распыления.

9.4.Укажите влияние распыления поверхности на формирование концентрационных профилей
имплантированной примеси.

Формулы для расчета коэффициентов распыления.

10.1. Перечислить известные формулы.

11. Диффузионное перераспределение примеси ионной имплантации (ИИ)

11.1. Перечислите типы диффузии и факторы, влияющие на нее, при ИИ.

11.2. Запишите ур-ие термической диффузии.

11.3. При каких двух условиях обычно рассматривается термическая диффузия (при D =const).

11.4. Как влияет изменение температуры на формирование концентрационных профилей?

11.5. К чему сводится влияние внутреннего электрического поля, созданного за счет градиента
концентрации примеси?

11.6. Влияние концентрации вакансий на диффузию.

11.7. Для чего применяют имплантацию в окислительной среде? Еу влияние на формирование профиля.

11.8. Что понимается под радиационно-ускоренной диффузией? Для чего она применяется?

Диффузионное перераспределение примеси с учетом распыления.

11.1. Записать ур. диффузии с учетом распыления поверхности и указать методы его решения.

11.2. Формирование профилей в стационарном и нестационарном случаях.

Радиационно-стимулированная диффузия.

13.1. Что под ней понимают? Характерные концентрационные профили при РСД.

13.2. Вид уравнения РСД, Выбор коэффициента диффузии.

13.3. Общий вид уравнения для распределения вакансий или междоузельных атомов.
Интерпретация всех 12 слагаемых.

Глава 4. Особенности тепло- массопереноса при воздействии импульсными
сильноточными пучками частиц.

Особенности взаимодействия мощных ионных пучков (МИП) с веществом.

14.1. Перечислить эти особенности.