Перечень лабораторных работ

ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Программа, методические указания и контрольные

задания для студентов IV курса электромеханического

и электроэнергетического факультетов (все специальности)

заочного отделения

Новосибирск

Введение

Программа курса «Промышленная электроника» соответствует программе очного вуза в объеме 140 учебных часов, из них 20 отводится на лабораторные работы.

По курсу студент выполняет одну контрольную работу и пять лабораторных работ. К лабораторным работам студент допускается после получения зачета по контрольной работе. Экзамен сдается в объеме программы.

Литература

Основная

1. Каганов И.Л. Промышленная электроника. – М.: Высшая школа, 1968.

2. Изъюрова Г.И., Кауфман М.С., Приборы и устройства промышленной электроники.- М.: Высшая школа, 1975.

3. Мелешкина Л.П., Алексеева Г.Е., Фраткина М.Л. Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники.- М.: Высшая школа, 1977.

4. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е.. Промышленная электроника. Энергоатомиздат 1988.

Дополнительная

1. Каганов И.Л. Промышленная электроника.- М.: Госэнергоиздат,1961.

2. Справочник электротехнический.- М.: Энергия, 1971, т. 1, 2, 3.

3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под ред, И.Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1972.

4. Тиристоры: Технический справочник / Под ред, В.А. Лобунцова.- М.: Энергия, 1971.

5. Ю.С. Забродин «Промышленная электроника» М.: Высшая школа, 1982.

Перечень лабораторных работ

1. Исследование работы неуправляемых однофазных двухполупериодных выпрямителей.

2. Исследование трехфазных схем выпрямления.

3. Исследование однофазного управляемого выпрямителя.

4. Исследование управляемого выпрямителя трехфазного тока.

5. Исследование биполярного транзистора и одиночного усилительного каскада на транзисторе.

6. Исследование многокаскадного усилителя на транзисторах.

7. Исследование мультивибратора на транзисторах.

Тема I. Полупроводниковые приборы.

I.I. Полупроводниковый диод.

Механизм электропроводности полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимости; типы примесной проводимости.

Механизм образования электронно-дырочного перехода (p-n-перехода).

Эффект выпрямления в p-n-переходе. Вольт-амперная характеристика

p-n-перехода, влияние на нее температуры. Пробой p-n-перехода (туннельный, лавинный, тепловой, поверхностный). Полупроводниковый диод и его вольт-амперная характеристика.

Разновидности и параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные, туннельные, фотодиоды, полупроводниковые стабилитроны. Особенности конструктивного исполнения мощных полупроводниковых диодов.

Групповое (последовательное и параллельное) соединение диодов. [ I, I.4; 2, I.4, I.5, I.6, 4.1, 4.2; 3, c. 6+12 ].

1.2. Транзисторы.

Структурная схема и принцип действия биполярного транзистора, соотношения между токами, коэффициенты передачи тока эмиттера и усиления тока базы.

Схемы включения транзисторов. Входные и выходные характеристики.

Т-образные эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора для переменных составляющих сигнала. Влияние температуры, частоты и режима работы на характеристики и параметры транзисторов.

Представление биполярного транзистора в виде линейного четырехполюсника. h – параметры, и их связь с дифференциальными параметрами эквивалентной схемы замещения.

Технические параметры биполярных транзисторов.

Полевой транзистор. Принцип действия, выходные и проходные характеристики, основные параметры, схемы включения полевых транзисторов. типы полевых транзисторов. [ I, 2.3; 2, 4.3, 4., 4.5, 4.6, 4.7, 4.8, 4.9; 3, c. 13+27 ].

1.3. Динисторы и тиристоры.

Структурная схема динистора. Физические процессы в динисторе при прямом и обратном внешнем напряжении. составляющие токов. Транзисторный аналог динистора. Условие перехода во включенное состояние. Вольт-амперная характеристика и ее основные параметры. Влияние температуры на условие переключения. Переходные процессы при включении динистора.

Физические процессы при включении тиристора по цепи управляющего электрода, условие перехода тиристора во включенное состояние.

Вольт-амперная характеристика тиристора; влияние тока управления на величину напряжения включения. Инерционность процесса включения тиристора; влияние величин тока управления на время задержки и время включения. Статические вольт-амперные характеристики цепи управления; зоны гарантированного включения. Требования к параметрам сигнала управления. Мощность потерь, тепловое сопротивление и температура перегрева структуры тиристоров. Особенности группового (последовательного и параллельного) соединения тиристоров. Типы тиристоров. [ 1, 6.6, 6.7, 6.8; 2, 4.10; 3, c 27+32 ].