Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Технологический процесс
|
|
| Подготовка подложки ситалла СТ50-1-1 |
| 1. Полировать полировочной пастой до шероховатости 0.02 мкм 2. Обработать в 20 % растворе перекиси водорода 3. 2 раза промыть в дистиллированной воде двукратной дистилляции 4. Однократно промыть в деионизированной воде 5. Однократно промыть в изопропиловом спирте |
| Ионно-плазменная – 1 |
| Напылять через маску МВИ 7817001 резистивный слой Gr d = 0.6-0.8 мкм |
| Ионно-плазменная – 2 |
| Напылять через маску МВИ 7817002 проводниковый слой Al d = 1.0-1.2 мкм |
| Ионно-плазменная – 3 |
| Напылять через маску МВИ 7817003 нижние обкладки конденсаторов слой Al d = 0.4-0.6 мкм |
| Ионно-плазменная – 4 |
| Напылять через маску МВИ 7817004 диэлектрик слой SiO d = 0.24 мкм |
| Ионно-плазменная – 5 |
| Напылять через маску МВИ 7817005 верхние обкладки конденсаторов слой Al d = 0.4-0.6 мкм |
| Электронный контроль – 1 |
| Контроль сопротивления в точках: 1-В 12400 Ом ±10% 3-В 12400 Ом ±10% 2-А 6200 Ом ±10% |
| Электронный контроль – 2 |
| Контроль ёмкости в точках: 1-А 3800 пФ ±20% 3-А 3800 пФ ±20% 2-В 7800 пФ ±20% |
| Фотолитография |
| 1. Нанести через маску МВИ 7817006 изоляционный слой фоторезиста негативного ФН 108ХАО.028.077ТУ d = 10-20 мкм 2. Травить в растворе: HNO3 – 1 часть, НРО3 – 10 частей через окно фоторезиста |
| Сварка |
| Варить 4 вывода к контактным площадкам 1-4 |
| Монтаж |
| Залить микросборку |
| Выходной контроль |
| R, C |
 |
 |
| Позиционное обозначение | Номинал | Кол-во | Примечание |
| Технология изготовления: ионно-плазменное распыление | |||
| C1-1, C1-2 С2 | Конденсатор 3800 пФ ±20% UP=12 В 7800 пФ ±20% UP=12 В | ||
| R1-1, R1-2 R2 | Резистор 12400 Ом ±10% W0=2 Вт/см2 6200 Ом ±10% W0=2 Вт/см2 |
| Наименование слоя | Марка | ГОСТ, ОСТ, ТУ | Электрические характеристики | Метод нанесения | № листа |
| Защитный слой | Фоторезист негативный ФН108 | Фотолитография | |||
| Диэлектрик | SiO | ЕТО 035.ОКТ4 | Ионно-плазменное распыление | ||
| Нижняя обкладка конденсатора | Алюминий А 89 | ГОСТ 618-62 | Р0=0,2 Ом/ € | Ионно-плазменное распыление | |
| Верхняя обкладка конденсатора | Алюминий А 89 | ГОСТ 618-62 | Р0=0,2 Ом/ € | Ионно-плазменное распыление | |
| Резистор | Gr | Ионно-плазменное распыление | |||
| Проводники и контактные площадки | Алюминий А 89 | ГОСТ 618-62 | Р0=0,2 Ом/ € | Ионно-плазменное распыление |
Date: 2015-07-02; view: 502; Нарушение авторских прав