Главная
Случайная страница
Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Технологический процесс
Подготовка подложки ситалла СТ50-1-1
| 1. Полировать полировочной пастой до шероховатости 0.02 мкм
2. Обработать в 20 % растворе перекиси водорода
3. 2 раза промыть в дистиллированной воде двукратной дистилляции
4. Однократно промыть в деионизированной воде
5. Однократно промыть в изопропиловом спирте
|
Ионно-плазменная – 1
| Напылять через маску МВИ 7817001 резистивный слой Gr
d = 0.6-0.8 мкм
|
Ионно-плазменная – 2
| Напылять через маску МВИ 7817002 проводниковый слой Al
d = 1.0-1.2 мкм
|
Ионно-плазменная – 3
| Напылять через маску МВИ 7817003 нижние обкладки конденсаторов слой Al
d = 0.4-0.6 мкм
|
Ионно-плазменная – 4
| Напылять через маску МВИ 7817004 диэлектрик слой SiO
d = 0.24 мкм
|
Ионно-плазменная – 5
| Напылять через маску МВИ 7817005 верхние обкладки конденсаторов слой Al
d = 0.4-0.6 мкм
|
Электронный контроль – 1
| Контроль сопротивления в точках:
1-В 12400 Ом ±10%
3-В 12400 Ом ±10%
2-А 6200 Ом ±10%
|
Электронный контроль – 2
| Контроль ёмкости в точках:
1-А 3800 пФ ±20%
3-А 3800 пФ ±20%
2-В 7800 пФ ±20%
|
Фотолитография
| 1. Нанести через маску МВИ 7817006 изоляционный слой фоторезиста негативного
ФН 108ХАО.028.077ТУ
d = 10-20 мкм
2. Травить в растворе: HNO3 – 1 часть, НРО3 – 10 частей через окно фоторезиста
| Сварка
| Варить 4 вывода к контактным площадкам 1-4
|
Монтаж
| Залить микросборку
|
Позиционное обозначение
| Номинал
| Кол-во
| Примечание
|
Технология изготовления: ионно-плазменное распыление
|
C1-1, C1-2
С2
| Конденсатор
3800 пФ ±20%
UP=12 В
7800 пФ ±20%
UP=12 В
|
|
|
R1-1, R1-2
R2
| Резистор
12400 Ом ±10%
W0=2 Вт/см2
6200 Ом ±10%
W0=2 Вт/см2
|
|
|
Наименование слоя
| Марка
| ГОСТ, ОСТ, ТУ
| Электрические характеристики
| Метод нанесения
| № листа
| Защитный слой
| Фоторезист негативный ФН108
|
|
|
Фотолитография
|
| Диэлектрик
|
SiO
|
ЕТО 035.ОКТ4
|
| Ионно-плазменное распыление
|
| Нижняя обкладка
конденсатора
| Алюминий
А 89
|
ГОСТ 618-62
|
Р0=0,2 Ом/
| Ионно-плазменное распыление
|
| Верхняя обкладка конденсатора
| Алюминий
А 89
|
ГОСТ 618-62
|
Р0=0,2 Ом/
| Ионно-плазменное распыление
|
| Резистор
|
Gr
|
|
| Ионно-плазменное распыление
|
| Проводники и контактные площадки
| Алюминий
А 89
|
ГОСТ 618-62
|
Р0=0,2 Ом/
| Ионно-плазменное распыление
|
|
|