Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Диффузионно-дрейфовая модель ПП





Информационные технологии моделирования ИС

Основные задачи моделирования

  • Исследование физических процессов, протекающих в элементах
  • Исследование конструктивно- технологических вариантов элементов ИС
  • Построение эквивалентных электрических схем и определение их параметров
  • Моделирование элементов во взаимосвязи с другими частями проекта

 

Диффузионно-дрейфовая модель ПП

Фундаментальная система уравнений (ФСУ) физики полупроводников была впервые введена Ван Рузброеком в 1950 г. Совместно с граничными условиями уравнения фундаментальной системы являются исходной непрерывно диффузионно-дрейфовой моделью (1.1)-(1.5).

Уравнения непрерывности для электронов и дырок:

; (1.1)

, (1.2)

где - концентрация свободных или подвижных электронов и дырок; - время; - векторы плотности электронов и дырок; - заряд электрона; -превышение скорости рекомбинации над скоростью генерации носителей.

Уравнения переноса для плотностей электронного и дырочного тока.

; (1.3)

, (1.4)

где - концентрация свободных или подвижных электронов; - термический потенциал; - константа Больцмана; - температура.

Уравнение Пуассона.

(1.5)

где - электростатический потенциал; - концентрации ионизированных доноров и акцепторов; -диэлектрическая проницаемость материала.

В том случае, когда концентрации электронов и дырок подчиняются статистике Больцмана, записываются вспомогательные соотношения:

(1.6)

(1.7)

где - квазиуровни Ферми, выраженные в вольтах.

Вид ФСУ (1.1)-(1.5) со вспомогательными соотношениями (1.6),(1.7) иногда называется традиционным.

К сожалению, базовые системы уравнений, описывающих процессы переноса носителей в полупроводниках, традиционными методами матфизики не решаются. Поэтому для построения моделей элементов конечных размеров разработаны приближенные методы численного решения, основанные на приближениях разного уровня, понижающих размерность модели, При этом удается получить работоспособные физико-топологические модели и эквивалентные электрические схемы замещения с большим числом параметров.

 

Date: 2015-07-17; view: 1846; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию