Указания к составлению отчета

5.1 Указать номер варианта, для которого проводились исследования.

5.2 Привести схемы исследуемых функциональных узлов, таблицы с результатами измерений и осциллограммы напряжений, в соответствии с заданием каждого пункта работы.

5.3 Привести сравнение результатов экспериментальных исследований с расчетными.

Приложение А

Таблица А.1- Параметры ОУ.

Лабораторная работа № 5.

Исследование логических интегральных микросхем

На биполярных транзисторах

Цель работы

Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их характеристики и определить параметры.

Подготовка к работе

2.1Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ.

2.1.2 Условные обозначения логических ИМС.

2.1.3 Основные параметры и характеристики логических ИМС.

2.1.4 Схемотехническая реализация логических ИМС на биполярных транзисторах.

2.1.5 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Назначение и применение логических ИМС.

2.2.2.Принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

2.2.3 Основные законы алгебры логики.

2.2.4 Дать определение ниже перечисленных параметров логических ИМС:

а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;

б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;

в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу);

г) среднее время задержки распространения сигнала;

д) статическая помехоустойчивость;

е) потребляемая мощность;

ж) энергия переключения.

2.2.5 Начертить схемы электрические принципиальные базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих типов:

а) диодно-транзисторная логика (ДТЛ);

б) транзистор - транзисторная логика (ТТЛ);

в) ТТЛ с открытым коллектором;

г) ТТЛ со сложным инвертором;

д) ТТЛ с тремя состояниями;

е) ТТЛ с диодами Шоттки (ТТЛШ).

2.2.6 Статические характеристики исследуемых логических ИМС и определение по ним параметров.

Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 231-256.

2 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 152-162.

3 Алексенко А.Г. Шагурин И.И., Микросхемотехника - Учебное пособие для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1990, с. 74-88, 99-100

4 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.258-275.

5 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 412-426.

6 Савиных В.Л. Электроника. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ, 2009.