Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Световая генерация и рекомбинацияПри световой генерации электрон поглощает фотон (рис. 4). При обратном процессе (рекомбинации) высвободившаяся энергия, равная Eg, может либо передаваться от электрона обратно решетке (фонону), либо уноситься фотоном.
Излучательная рекомбинация Если энергия уносится фотоном, то этот процесс называется излучательной рекомбинацией Могут также одновременно рождаться фононы и фотоны, но тогда, в силу закона сохранения, их парциальные энергии меньше Eg.
Световая генерация и излучательная рекомбинация лежат в основе работы целого класса оптоэлектронных полупроводниковых приборов - источников и приемников излучения.
Время жизни неравновесных носителей заряда При воздействии на п/п света он получил избыточную концентрацию носителей Dn, Dp. После прекращения энергетического воздействия на полупроводник избыточная концентрация носителей заряда в нем из-за процесса рекомбинации через некоторое время уменьшится до нуля.
!!! Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу времени в единице объема (быстрота изменения концентрации), пропорционально избыточной концентрации и обратно пропорционально некоторому параметру t, который называют временем жизни неравновесных носителей заряда.
dn/dt =Dn/tn; dp/dt =Dp/tp (2.5)
Концентрация неравновесных носителей заряда
n = Dn e –t/tn; p = Dp e –t/tp (2.6)
!!! временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (Dn или D р) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:
tn,р = Dn,p/(dn,p/dt) (2.7)
17.02.2009 Флёров А.Н. курс “ Физические основы микроэлектроники” Для самостоятельного изучения Часть 1
Содержание: 1. Полупроводниковые вещества. 9 2. Кристаллическая решетка. 10 3. 3D решетки Браве. 13
|