Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.
|
|
Будем считать, что источник сигнала по отношению к транзистору является генератором тока iГ IГm sin t, где IГm=EГm/RГ. Тогда полный входной ток транзистора можно считать известным
. (3.43)
Сопротивление нагрузки будем считать большим RН >> RК.
Для описания работы транзистора воспользуемся семейством выходных характеристик (рис. 3.31) iК=f(iБ,uКЭ). Учитывая, что характеристика резистора RК подчиняется закону Ома, получим:
,
где (EК - uКЭ) - падение напряжения на резисторе RК. Это уравнение называется уравнением нагрузочной линии. Ее график имеет вид прямой линии, проходящей через точку EК на оси абсцисс и через точку EК /RК, на оси ординат. Чем меньше RК, тем более круто проходит нагрузочная линия. Поскольку через транзистор и RК протекает один и тот же ток iК, то его величина и напряжение uКЭ могут быть найдены путем решения системы уравнений:
. (3.44)
Эта система уравнений может быть решена графически, путем нахождения точек пересечения нагрузочной линии с графиками выходных характеристик транзистора. Для определения параметров режима по постоянному току примем eГ =0. Тогда значения постоянной составляющей тока коллектора IК (0) и напряжения UКЭ (0) определяются пересечением нагрузочной линии и статической характеристики транзистора, снятой при iБ =IБ (0), - см. рис. 3.31, точка А.
При подаче на вход каскада напряжения eГ ток базы будет изменяться относительно IБ (0) по синусоидальному закону с амплитудой
и рабочая точка будет перемещаться по нагрузочной линии между точками B и C. Соответственно будет изменяться ток коллектора с амплитудой IКm около значения IК (0) и напряжение на коллекторе с амплитудой UКm около значения UКЭ (0). При этом ток коллектора iК будет находиться в фазе с током базы iБ, а выходное напряжение uКЭ в противо-фазе. (Увеличению тока базы соответствует увеличение тока коллектора и уменьшение напряжения на коллекторе. См. рис. 3.31).
Date: 2016-07-18; view: 470; Нарушение авторских прав