Принцип работы фотодатчика по структурной схеме

Микроконтроллер AT89C2051переводит линию порта P3.7 в состояние лог.0. Это состояние открывает транзистор VT1 и включает ИК светодиод SD1 на излучение. Фотодиод принимает отраженный сигнал. Если перед фотодиодом на расстоянии 6-7 сантиметров имеется отражающая поверхность объекта, на выходе предварительного усилителя(и, соответственно, на выходной линии порта 1.5 микроконтроллера AT89C2051) длительность импульса достигает 40…70 мкс (в зависимости от наличия паразитных засветок ФД, расстояния до объекта, его формы, скорости и отражающих свойств поверхности). Если перед ФД нет объекта(или он находится слишком далеко от ФД), длительность импульса изменяется от 0 до 20 мкс. Микроконтроллер шесть раз опрашивает состояние входной линии порта P1.5 и считает количество принятых импульсов, затем переводит линию порта P3.7 в состояние лог.1 (отключает импульс на ИК светодиод). Далее микроконтроллер выдает на тестовый выход P3.5 серию коротких положительных импульсов, количество которых равно количеству принятых импульсов. Длительность импульса – 1 мкс, период следования – 10 мкс. Микроконтроллер анализирует количество принятых импульсов и сравнивает его с определенной пороговой величиной. Если превышение пороговой величины происходит впервые, то устанавливается внутренний флаг наличия объекта; если же наблюдается снижение количества принятых импульсов ниже пороговой величины, флаг наличия объекта сбрасывается. Микроконтроллер проверяет установку флага наличия объекта и на выходе Р3.3 формирует нулевой выходной импульс длительностью примерно 400 мкс. Одновременно микроконтроллер устанавливает выходные линии Р1.6 и Р1.7 соответствующим образом, включая зеленый светодиод сдвоенного индикатора SD2. Микроконтроллер анализирует активность флага наличия объекта: если флаг взведен, микроконтроллер включает красный светодиод SD2, а если флаг сброшен — выключает оба светодиода. Далее формируется временная задержка, и цикл повторяется вновь с первого пункта. Период следования импульсов инфракрасного светодиода составляет около 750 мкс при скважности 10.