B)диод, в излучателе которого энергия электрического сигнала преобразуется в световую

C)транзистор, выходная цепь которого может работать и в линейном и в ключевом режиме

D)резисторы

E)прибор, который имеет излучатель и фотоприемник

7)Количество компонентов в N в кристалле полупроводника характеризует:

A)коэффициент ИМС k=lgN

B)число компонентов микросхемы

C) коэффициент ИМС k=lgN³

D)аппаратное обеспечение

E)программное обеспечение

8)Устройства, осуществляющие контакт компьютера с внешним миром, преобразующие информацию с тех языков и тех скоростей, на которых работает компьютер, к тем,которые воспринимает человек ил другая связанная с компьютером система:

A)устройства ввода/вывода

B)устройство управления

C)арифметическое устройство

D)микропроцессорное устройство

E)оперативное запоминающее устройство

F) постоянное запоминающее устройство

9) Характеристика изображения на рисунке:

A)зависимость фазового сдвига между входным и выходным сигналами от частоты усиливаемого сигнала

B) зависимость фазового сдвига между входным и выходным сигналами от амплитуды усиливаемого сигнала

C)амплитудная характеристика

D)фазо-частотная характеристика ФЧХ

E)зависимость фазы от частоты для области низких и верхних рабочих частот

10)Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на низких частотах объясняется:

A)наличием элемента не пропускающего постоянную составляющую тока

B)влиянием температуры

C)низким входным сопротивлением схемы

D)наличием элемента предназначенного для заряда и разряда