Паспорт к базе тестовых заданий

A) Вольт.

B) Ом.

C) Ампер.

D) Сименс.

E) Джоуль.

$$$ 2

Какое из приведенных соотношений имеет размерность Ампер:

A).

B).

C).

D)

E) .

F) .

$$$ 3

Единица измерения индуктивности:

A) Вебер.

B) Генри.

C) Фарад.

D) Тесла.

E) Сименс.

F) МилиГенри.

G) МикроГенри.

$$$ 4

Единица измерения емкости:

A) Вебер.

B) Генри.

C) Фарада.

D) Тесла.

E) Сименс.

F) МикроФарада.

G) Ом.

Н) МилиФарада.

$$$ 5

Единица измерения проводимости:

A) Вебер

B) Генри

C) Фарад

D) Тесла

E) Сименс.

F) МилиСименс.

G) МикроСименс.

Н) Ом.

$$$ 6

Имеется неразветвленный участок цепи.

Закон Ома для него записывается:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) .

$$$ 7

Согласно первому закону Кирхгофа:

A) Алгебраическая сумма токов, втекающих в любой узел электрической цепи, равна алгебраической сумме токов, вытекающих из него.

B) В любом контуре электрической цепи арифметическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна алгебраической сумме ЭДС.

C) В любом контуре электрической цепи алгебраическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна арифметической сумме ЭДС.

D) Алгебраическая сумма токов в любом узле электрической цепи равна нулю.

E) В любом контуре электрической цепи алгебраическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна алгебраической сумме ЭДС.

$$$ 8

Согласно второму закону Кирхгофа:

A) В любом контуре электрической цепи сумма напряжений на всех элементах равна ЭДС.

B) В любом контуре электрической цепи арифметическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна алгебраической сумме ЭДС.

C) В любом контуре электрической цепи алгебраическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна арифметической сумме ЭДС.

D) Алгебраическая сумма токов в любом узле электрической цепи равна нулю.

E) В любом контуре электрической цепи алгебраическая сумма напряжений на всех резистивных элементах равна алгебраической сумме ЭДС.

$$$ 9

В большинстве стран принята стандартная частота синусоидального тока 50 Гц, так как:

A) Эту частоту легче получить.

B) На этой частоте наблюдается наибольший КПД передачи энергии.

C) Электрические двигатели работают только на этой частоте.

D) На меньшей частоте заметно мигание ламп накаливания.

E) Эта частота наименее опасна для человека.

F) На большей частоте возрастает ЭДС самоиндукции.

G) Большая частота отрицательно влияет на передачу энергии по проводам и работу многих электротехнических устройств.

$$$ 10

Резистор:

A) Международное определение сопротивления.

B) Устаревшее название сопротивления.

C) синоним понятия «сопротивление»

D) Электротехническое устройство, обладающее сопротивлением и применяемое для ограничения тока.

E) Идеализированное сопротивление.

F) Пассивный элемент электрических цепей, обладающий определённым или переменным значением электрического сопротивления.

G) Пассивный элемент, предназначенный для линейного преобразования силы тока в напряжение и напряжения в силу тока.

$$$ 11

Ток I в приведенной ниже цепи равен:

A) 2А.

B) 10А.

C) 3,3А.

D) 1А.

E) 2,5А.

F) 1000 мА.

G) 1×10⁶ мкА.

$$$ 12

Общее сопротивление цепи в представленной ниже схеме равно:

A) 100 Ом

B) 85 Ом

C) 50 Ом

D) 25 Ом

E) 10 Ом.

F) 0,01 кОм.

G) 1×10^-5 МОм.

H) 0,1 кОм.

$$$ 13

Если из приведенной ниже цепи исключить два крайних левых резистора 5 Ом и 10 Ом, то общее сопротивление:

A) Не изменится.

B) Возрастет.

C) Уменьшится.

D) Уменьшится в пять раз.

E) Возрастет в 1,2 раза.

F) Возрастет в 2 раза.

G) Уменьшится в 2 раза.

H) Уменьшится в 1,2 раза.

$$$ 14

При максимальной мощности в нагрузке КПД активного двухполюсника:

A) ≈100%.

B) 75%.

C) 50%.

D) Определяется только сопротивлением подводящих проводов.

E) Определяется только внутренним сопротивлением источника энергии.

$$$ 15

Общая проводимость представленной ниже цепи равна:

A) 0,125 См.

B) 8 Cм.

C) 3 См.

D) 0,8 См

E) 0,75 См.

F) 8×10³ мCм.

$$$ 16

Ток, потребляемый от источника представленной ниже цепью, равен:

A) 40×10³ мА.

B) 40×10⁶ мкА.

C) 40 А.

D) 8 А.

E) 80 А.

$$$ 17

Ток, протекающий через резистор 1 Ом, в представленной ниже цепи, равен:

A) 4 А.

B) 5 А.

C) 5×10³ мА.

D) 5×10⁶ мкА.

E) 50 А.

$$$ 18

Индуктивный элемент является линейным, если:

A) Его индуктивность связана с током линейным законом .

B) Его индуктивность связана с напряжением линейным законом .

C) Его индуктивность не зависит ни от тока, ни от напряжения.

D) Он выполнен на цилиндрической поверхности.

E) Линейных индуктивных элементов не существует.

F) Его вебер-амперная характеристика представляет собой прямую линию, проходящую через начало координат.

$$$ 19

Ток, протекающий через емкостной элемент, пропорционален:

A) Частоте приложенного к нему напряжения.

B) К приложенному к нему напряжению.

C) Толщине его пластин.

D) Заряду пластин.

E) Напряженности электрического поля.

F) Скорости изменения приложенного к нему напряжения.

G) Напряжение на конденсаторе отстает по фазе от тока на π/2.

$$$ 20

Емкостной элемент является линейным, если:

A) Его емкость связана с током линейным законом .

B) Его емкость связана с напряжением линейным законом .

C) Его емкость не зависит ни от тока ни от напряжения.

D) Он представляет собой плоский конденсатор.

E) Линейных емкостных элементов не существует.

F) Его кулон-вольтная характеристика имеет вид прямой линии.

G) Его кулон-вольтная характеристика не является прямой линией.

H) Описывается нелинейными дифференциальными или алгебраическими уравнениями.

$$$ 21

Среднее значение синусоидального тока определяется:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 22

Среднее значение синусоидального напряжения определяется:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 23

Среднее значение синусоидальной ЭДС определяется:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 24

Действующее значение синусоидального тока определяется

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 25

Действующее значение синусоидального напряжения определяется:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 26

Действующее значение синусоидальной ЭДС определяется:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 27

Синусоидальный ток задан тригонометрической функцией . Форма записи его в комплексной форме:

A) .

B) .

C) .

D) , где , .

E) .

F) .

G) .

$$$ 28

В индуктивном элементе ток:

A) Отстает по фазе от напряжения на 90^о.

B) Опережает по фазе напряжение на 90^о.

C) Совпадает по фазе с напряжением.

D) Отстает по фазе от напряжения на угол 180^о.

E) Опережает по фазе напряжение на угол 180^о.

F) Отстает по фазе от напряжения на π/2.

G) Опережает по фазе напряжение на угол π/2.

H) Отстает по фазе от напряжения на угол 270^о.

$$$ 29

В емкостном элементе ток:

A) Отстает по фазе от напряжения на 90^о.

B) Опережает по фазе напряжение на 90^о.

C) Совпадает по фазе с напряжением.

D) Отстает по фазе от напряжения на угол 180^о.

E) Опережает по фазе напряжение на угол 180^о.

F) Отстает по фазе от напряжения на π/2.

G) Опережает по фазе напряжение на угол π/2.

H) Отстает по фазе от напряжения на угол 270^о.

$$$ 30

Запись первого закона Кирхгофа для узла, представленного на рисунке:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 31

Согласно второму закону Кирхгофа для синусоидального тока:

A) Алгебраическая сумма напряжений на резистивных, индуктивных и емкостных элементах в контуре в каждый момент времени равна алгебраической сумме ЭДС этого контура.

B) Арифметическая сумма напряжений на резистивных, индуктивных и емкостных элементах в контуре в каждый момент времени равна алгебраической сумме ЭДС этого контура.

C) Арифметическая сумма напряжений на резистивных, индуктивных и емкостных элементах в контуре в каждый момент времени равна арифметической сумме ЭДС.

D) Второй закон Кирхгофа действителен только для постоянного тока.

E) Сумма комплексных ЭДС в контуре равна сумме комплексных падений напряжения в этом контуре.

F) Сумма мгновенных или комплексных значений падений напряжений на всех элементах контура, включая источники ЭДС, равна нулю.

$$$ 32

Комплексные проводимости резистивного, индуктивного и емкостного элементов:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) .

G) .

H) .

$$$ 33

Комплексное сопротивление неразветвленной цепи

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) .

G) .

H) .

$$$ 34

Фаза комплексного сопротивления неразветвленной цепи:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) .

G) .

H) .

$$$ 35

Аргумент комплексного сопротивления может принимать значение в диапазоне:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 36

В цепи синусоидального тока мгновенное значение мощности на резистивном элементе изменяется с частотой:

A) Равной частоте тока.

B) В два раза меньшей частоты тока.

C) В два раза превышающей частоту тока.

D) Равной нулю.

E) С удвоенной угловой частотой.

$$$ 37

Резонанс напряжений возможен:

A) В неразветвленной цепи с индуктивным, емкостным и резистивным элементами.

B) В цепи, содержащей параллельно соединенные индуктивные, емкостной и резистивный элементы.

C) В любой цепи, содержащей реактивный элемент.

D) Только в идеальном колебательном контуре.

E) В контурах, где .

F) В последовательном колебательном контуре.

$$$ 38

При резонансе аргумент комплексного сопротивления контура

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) .

G) .

$$$ 39

Дана запись мгновенных значений ЭДС трех фазных обмоток симметричного генератора: 1) ; 2) ; 3) . Какие значения ЭДС соответствуют фазам А, В, С при их прямом чередовании:

A) 1, 2, 3.

B) 1, 3, 2

C) 2, 1, 3

D) 2, 3, 1

E) 3, 1, 2.

$$$ 40

Комплексная ЭДС одной из фаз выражена . Это фаза:

A) А

B) В

C) С

D) Любая из фаз

E) Приведенное выражение лишено смысла.

$$$ 41

Комплексная ЭДС одной из фаз выражена . Это фаза:

A) А

B) В

C) С

D) Любая из фаз

E) Приведенное выражение лишено смысла.

$$$ 42

Комплексная ЭДС одной из фаз выражена . Это фаза:

A) А

B) В

C) С

D) Любая из фаз

E) Приведенное выражение лишено смысла.

F) А, В, С.

$$$ 43

При соединении источника энергии и несимметричного приемника по схеме звезда:

A) Нейтральный провод не прокладывается.

B) Нейтральный провод можно не прокладывать.

C) Нейтральный провод прокладывается по требованиям техники безопасности.

D) Нейтральный провод прокладывается для выравнивания фазных напряжений в приемнике.

E) Нейтральный провод прокладывается для нормальной работы электросчетчика.

F) Нейтральный провод обеспечивает симметрию фазных напряжений.

G) Мощности всех фаз одинаковы.

$$$ 44

При соединении источника энергии и симметричного приемника по схеме звезда:

A) Нейтральный провод не прокладывается.

B) Нейтральный провод можно не прокладывать.

C) Нейтральный провод прокладывается по требованиям техники безопасности.

D) Нейтральный провод прокладывается для выравнивания фазных напряжений в приемнике.

E) Мощности всех фаз одинаковы.

$$$ 45

В нейтральном проводе 4-проводной осветительной магистрали:

A) Установка предохранителя обязательна.

B) Установка предохранителя желательна.

C) Установка предохранителя обязательна при больших нагрузках.

D) Установка предохранителя запрещена.

E) Может быть установлен только автоматический выключатель.

F) При отключении нейтрального провода фазные напряжения могут стать неровными.

$$$ 46

При соединении источника энергии и несимметричного приемника по схеме треугольник:

A) Нейтральный провод отсутствует.

B) Нейтральный провод можно не прокладывать.

C) Нейтральный провод обязателен.

D) Нейтральный провод прокладывается при больших токах нагрузки.

E) Нейтральный провод необходим для защиты сети от перегрузок.

F) Фазные токи, углы сдвига фаз и фазные мощности будут различными.

G) При изменении сопротивления одной из фаз режим работы других фаз остается неизменным.

$$$ 47

У полупроводникового диода электрическим пробоем является:

A) Резкое возрастание напряжения на р-n переходе при увеличении значения прямого тока через переход.

B) Резкое возрастание напряжения на р-n переходе при увеличении значения обратного тока через переход.

C) Резкое возрастание тока через р-n переход при прямых напряжениях на переходе, больших критического значения.

D) Резкое возрастание тока через р-n переход при обратных напряжениях на переходе, больших критического значения.

E) Превышение критического значения тока и напряжения, после которого диод выходит из строя.

F) Резкое увеличение обратного тока через диод при достижении обратным напряжением критического значения.

G) Диффундирующие носители, преодолевающие некоторое расстояние.

H) Изменения внутреннего сопротивления диода, приводящего к изменению емкости.

$$$ 48

Если кремний легировать элементом V группы периодической системы Менделеева, то образуется:

A) Полупроводник n-типа.

B) Полупроводник р-типа.

C) Полупроводник с очень высоким сопротивлением.

D) Диод.

E) (P-N) –переход.

F) Полупроводник с электронным типом проводимости.

G) Биполярный транзистор.

H) Тиристор.

$$$ 49

Если кремний легировать элементом III группы периодической системы Менделеева, то электрический ток через такой материал:

A) Состоит из потока электронов.

B) Состоит из потока дырок.

C) Состоит из потока электронов и небольшого потока дырок.

D) Состоит из потока дырок и небольшого потока электронов.

E) Состоит из равных потоков электронов и дырок.

F) Состоит из потока положительных носителей заряда и небольшого потока отрицательных носителей заряда полупроводник с электронным типом проводимости.

G) Состоит из потока отрицательных носителей заряда и небольшого потока положительных носителей заряда полупроводник.

$$$ 50

Обедненный слой – это:

A) Слой между областями n и р.

B) Слой, примыкающий к (р-n) -переходу со стороны полупроводника р-типа.

C) Слой, примыкающий к (р-n) -переходу со стороны полупроводника n-типа.

D) Слой, в котором находиться уменьшенное количество носителей заряда.

E) Характеристика катодной области диода.

$$$ 51

Полупроводниковый диод – это прибор:

A) Имеющий линейную характеристику.

B) Имеющий нелинейную характеристику.

C) Имеющий нелинейную характеристику при прямом смещении и линейную при обратном.

D) Имеющий линейную характеристику при прямом смещении и нелинейную при обратном.

E) Имеющий осесимметричную характеристику.

F) Полупроводник с электронным типом проводимости.

G) Биполярный транзистор.

H) Содержащий (р-n) переход.

$$$ 52

Электрический пробой () перехода возникает при подаче на него:

A) Обратного напряжения и лежит в основе работы стабилитронов.

B) Обратного напряжения и приводит к выходу диода из строя.

C) Прямого напряжения и не имеет практического применения.

D) Обратного напряжения и не имеет практического применения.

E) Прямого напряжения и приводит к выходу диода из строя.

$$$ 53

Тепловой пробой (р-n) перехода возникает при подаче на него:

A) Прямого напряжения и приводит к выходу диода из строя.

B) Обратного напряжения и приводит к выходу диода из строя.

C) Прямого напряжения и не имеет практического применения.

D) Обратного напряжения и не имеет практического применения.

E) Обратного напряжения и лежит в основе работы стабилитронов.

F) Обратного напряжения и приводит к росту температуры полупроводникового диода.

G) Обратного напряжения и приводит к падению температуры полупроводникового диода.

H) Обратного напряжения и приводит к росту электрического тока и температуры в переходе.

$$$ 54

Если внешнее электрическое поле совпадает по направлению с внутренним электрическим полем (p-n) перехода:

A) Толщина обедненного слоя уменьшается, а его сопротивление возрастает.

B) Толщина обедненного слоя возрастает, а его сопротивление уменьшается.

C) Возрастает толщина обедненного слоя.

D) Увеличивается элекитричекий ток через переход.

E) Толщина обедненного слоя становится равной нулю.

F) Толщина обедненного слоя уменьшается, а его сопротивление уменьшается.

$$$ 55

Обратный ток через (р-n) переход определяется:

A) Приложенным к переходу напряжением.

B) Материалом полупроводника.

C) Температурой полупроводника.

D) Температурой полупроводника и приложенным к переходу напряжением.

E) Материалом полупроводника и его температурой.

$$$ 56

Какое напряжение установиться на выходе схемы, если на вход «1» подать 25 В, а на входы «2», «3», «4» - по +5 В. Диоды считать идеальными:

A) 25 В.

B) 20 В.

C) 5 В.

D) 10 В.

E) 0.

F) 15 В.

G) – 5 В.

$$$ 57

Какова частота сигнала на выходе схемы, если частота входного сигнала :

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) 2ω_вых=ω.

$$$ 58

Действующее напряжение между точками А и В равно . Чему равна амплитуда напряжения на резисторе ? Диоды считать идеальными:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) /2.

G) 2 .

$$$ 59

Указать основное соотношение между токами в транзисторе:

A) .

B) I_Б = I_Э + I_К.

C) I_К = I_Э – I_Б.

D) .

E) .

F) .

G) .

H) I_Б = I_Э – I_К.

$$$ 60

Туннельный диод – диод, предназначенный для:

A) Преобразования переменного напряжения в постоянное.

B) Стабилизации напряжения.

C) Использования в качестве емкости, управляемой электрическим напряжением.

D) Работы в быстродействующих импульсных схемах.

E) Усиление высокочастотных колебаний.

F) Генерирование высокочастотных колебаний.

G) Переключение высокочастотных колебаний.

H) Преобразования постоянного напряжения в переменное.

$$$ 61

Полупроводниковый диод имеет обозначение АЛ307. Исходный материал диода:

A) AsGa.

B) Арсенид галлия.

C) Германий.

D) Кремний.

E) По условному обозначению диода невозможно определить его исходный материал.

F) Алюминий.

G) Ge.

H) Si.

$$$ 62

Полупроводниковый диод имеет обозначение КС168. Исходный материал диода:

A) Керамика.

B) Кремний.

C) Арсенид галлия.

D) Германий.

E) По условному обозначению диода невозможно определить его исходный материал.

F) Ge.

G) Si.

$$$ 63

Какое из представленных ниже условных обозначений не соответствует полупроводниковым диодам:

A) 1.

B) 2.

C) 3, 7.

D) 4, 6.

E) 5, 6.

F) 8.

G) 5.

H) 2.

$$$ 64

Какое из представленных ниже условных обозначений соответствует оптоэлектронным диодам:

A) 1, 8.

B) 2, 3.

C) 4.

D) 6.

E) 5, 1.

F) 7.

G) 5.

H) 6,7.

$$$ 65

Какое из приведенных условных обозначений относится к полевому транзистору:

A) 4.

B) 5.

C) 1 – 3.

D) 4 – 5.

E) 3.

F) 1.

G) 2.

H) 2, 3.

$$$ 66

Структура какого полевого транзистора представлена на рисунке:

A) С изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.

B) С изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.

C) С управляющим р-n переходом и каналом n-типа.

D) С управляющим р-n переходом и каналом p-типа.

E) Алкатрона.

F) С управляющим р-n переходом.

$$$ 67

Определить наименование выводов полевого транзистора, структура которого представлена на рисунке:

A) 1 – исток; 2 – затвор; 3 – сток.

B) 1 – затвор; 2 – сток; 3 – исток.

C) 1 – исток; 2 – сток; 3 – затвор.

D) 1 – затвор; 2 – исток; 3- сток.

E) 1 – сток; 2 – исток; 3 – затвор.

$$$ 68

Структура какого полевого транзистора представлена на рисунке:

A) С изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.

B) С изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.

C) С управляющим р-n переходом и каналом n-типа.

D) С управляющим р-n переходом и каналом p-типа.

E) С изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.

F) МОП-транзистор с индуцированным каналом.

G) МДП-транзистор с индуцированным каналом.

$$$ 69

Определить наименование выводов полевого транзистора, структура которого представлена на рисунке, и тип индуцируемого в нем канала:

A) 1 – затвор; 2 – исток; 3 – сток; n-типа.

B) 1 – исток; 2 – затвор; 3 – сток; n-типа.

C) 1 – исток; 2 – затвор; 3 – сток; p-типа.

D) 1 – затвор; 2 – исток; 3 – сток; p-типа.

E) 1 – исток; 2 – сток; 3 – затвор; p-типа.

$$$ 70

Структура какого полевого транзистора представлена на рисунке:

A) С изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.

B) С изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.

C) С управляющим р-n переходом и каналом n-типа.

D) С управляющим р-n переходом и каналом p-типа.

E) С изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.

F) МОП-транзистор со встроенным каналом.

G) Однопереходной транзистор.

$$$ 71

Определить наименование выводов полевого транзистора, структура которого представлена на рисунке:

A) 1 – исток; 2 – затвор; 3 – сток.

B) 1 – затвор; 2 – сток; 3 – исток.

C) 1 – исток; 2 – сток; 3 – затвор.

D) 1 – затвор; 2 – исток; 3- сток.

E) 1 – сток; 2 – исток; 3 – затвор.

$$$ 72

На рисунке приведена типовая структура биполярного транзистора. Исходя из взаиморасположения его элементов и соотношения их размеров указать наименование его выводов:

A) 1 – Э, 2 – Б, 3 – К.

B) 1 – Э, 2 – К, 3 – Б.

C) 1 – К, 2 – Б, 3 – Э.

D) 1 – Б, 2 – Э, 3 – К.

E) 1 – Б, 2 – К, 3 – Э.

$$$ 73

Структура какого транзистора приведена на рисунке и как называются его выводы:

A) На рисунке представлена не структура транзистора, т.к. последний должен иметь два p-n перехода.

B) Полевого со встроенным каналом; 1 – сток, 2 – исток, 3 – затвор.

C) Полевого с индуцированным каналом; 1 – сток, 2 – исток, 3 – затвор.

D) Однопереходного; 1 – база 1, 2 – база 2, 3 – эмиттер.

E) Полевого с изолированным затвором; 1 – сток, 2 – исток, 3 – затвор.

F) МОП-транзистор со встроенным каналом.

$$$ 74

Что представляет собой характеристика транзистора :

A) Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером.

B) Коэффициент усиления по току для схемы с общим коллектором.

C) Коэффициент усиления по току для схемы с общей базой.

D) Коэффициент усиления по мощности.

E) Коэффициент усиления по напряжению.

F) Коэффициент усиления.

G) Коэффициент усиления по току.

$$$ 75

Что представляет собой характеристика транзистора :

A) Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером.

B) Коэффициент усиления.

C) Коэффициент усиления по току для схемы с общей базой.

D) Коэффициент усиления по току.

E) Коэффициент усиления по напряжению.

F) Коэффициент усиления по току для схемы с общим коллектором.

G) Коэффициент усиления по мощности.

$$$ 76

Какое соотношение справедливо для коэффициента транзистора:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) α ≈1.

$$$ 77

Как связаны между собой коэффициенты и транзистора:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

F) α>β.

G)α<β.

$$$ 78

Схема какого устройства приведена на рисунке:

A) Делителя напряжения.

B) Мультивибратора.

C) Делителя тока.

D) Усилителя.

E) Генератора синусоидальных колебаний.

F) Генератор прямоугольных сигналов.

$$$ 79

Какую роль в приведенной схеме играют диод VD1 и резистор R2:

A) Увеличение длительности импульса.

B) Уменьшение скважности сигналов.

C) Термостабилизация схемы.

D) Уменьшение длительности импульса.

E) Защита от перенапряжения.

F) Термокомпенсация смещения рабочей точки

$$$ 80

Схема какого устройства представлена на рисунке:

A) Усилителя переменного напряжения.

B) Генератора.

C) Мультивибратора.

D) Дифференциального усилителя.

E) Усилителя постоянного тока.

F) Усилителя напряжения.

G) Операционый усилителя.

H) Усилителя сигналов.

$$$ 81

Как изменится работа приведенной схемы, если из нее исключить резистор R3:

A) Будет неработоспособна.

B) Не будет термостабилизирована.

C) Снизится коэффициент усиления по току.

D) Снизится коэффициент усиления по напряжению.

E) Повысится уровень помех.

F) Будет отсутствовать отрицательная обратная связь.

G) Будет отсутствовать положительная обратная связь.

$$$ 82

Как изменится работа приведенной схемы, если из нее исключить конденсатор С2:

A) Схема не будет термокомпенсирована.

B) Увеличится уровень помех в схеме.

C) Возникнет нежелательная обратная связь по переменной токовой составляющей.

D) Изменится положение рабочей точки транзистора VT1.

E) Будет инвертирован выходной сигнал.

$$$ 83

Схема усилителя с общим эммитером:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по току.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Является инвертирующим.

G) Изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

H) Изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

$$$ 84

Схема усилителя с общим истоком:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Является инвертирующим.

G) Изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

$$$ 85

Схема усилителя с общим истоком:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Является инвертирующим.

G) Изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

$$$ 86

Схема усилителя с общим коллектором:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Является неинвертирующим усилителем.

$$$ 87

Схема усилителя с общим стоком:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания.

E) Имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

$$$ 88

Схема усилителя с общей базой:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Не изменяет фазу сигнала.

G) Изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

$$$ 89

Схема усилителя с общим затвором:

A) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 180⁰.

B) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и изменяет фазу входного сигнала на 90⁰.

C) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности и не изменяет фазу входного сигнала.

D) Обладает широкой полосой пропускания и имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.

E) Является неинвертирующей и обладает низким входным сопротивлением.

F) Обеспечивает наибольшее усиление по мощности.

G) Обладает низким входным сопротивлением.

H) Не изменяет фазу сигнала.

$$$ 90

По назначению усилители делятся на:

A) Усилители напряжения и тока.

B) Усилители напряжения, тока и мощности.

C) Усилители напряжения и мощности.

D) Усилители тока и мощности.

E) Усилители частоты, тока, напряжения и мощности.

$$$ 91

Схема какого устройства приведена ниже на рисунке:

A) Усилитель переменного напряжения.

B) Резонансный усилитель.

C) Усилитель.

D) Мультивибратор.

E) Дифференциальный усилитель.

F) Электронный усилитель.

G) Генератор.

$$$ 92

В приведенной ниже схеме напряжение U1 возрастает, а U2 неизменно. Как при этом изменяются напряжения в точках 1 и 2:

A) В точке 1 убывает, в точке 2 возрастает.

B) В точке 1 убывает, в точке 2 не меняется.

C) Возрастает в обеих точках.

D) Ведет себя разнонаправленно в соответствии с поданными напряжениями.

E) Убывает в обеих точках.

F) В точке 1 возрастает, в точке 2 не меняется.

$$$ 93

На базы транзисторов в приведенной ниже схеме поданы одинаковые синусоидальные напряжения. Как при будет изменяться разность напряжений между точками 1 и 2:

A) Будет равна нулю.

B) Будет одинаковой.

C) Будет изменяться синусоидально, но с амплитудой, равной половине входного напряжения.

D) Синусоидально, но с удвоенной частотой относительно входного напряжения.

E) Синусоидально, но с частотой, равной половине частоты входного напряжения.

F) Будет изменяться синусоидально, но с удвоенной амплитудой входного напряжения.

$$$ 94

На входы приведенной ниже схемы действует синфазные помехи одинаковой амплитуды. Какое влияние они оказывают на разность напряжений между точками 1 и 2:

A) Сигнал помехи удваивается по амплитуде.

B) Сигнал помехи удваивается по частоте.

C) Никакого, так как синфазная помеха уничтожается в самой схеме.

D) Влияние которое можно не учитывать.

E) Сигнал помехи сохраняет амплитуду, но уменьшается по частоте вдвое.

F) Сигнал помехи уменьшается вдвое по амплитуде.

$$$ 95

Какую роль в приведенной ниже схеме играет транзистор VT3:

A) Стабилизирует ток, протекающий через дифференциальный усилитель.

B) Является элементом генератора тока.

C) Является активным элементом генератора стабильного тока.

D) Является активным элементом генератора стабильного напряжения.

E) Является элементом делителя напряжения.

F) Образует плечо дифференциального усилителя.

G) Термостабилизирует положение рабочей точки дифференциального каскада.

$$$ 96

Какую роль в приведенной ниже схеме играет транзистор VT4:

A) Образует плечо дифференциального усилителя.

B) Термостабилизирует положение рабочей точки транзистора VT3.

C) Является активным элементом генератора стабильного тока.

D) Является активным элементом генератора стабильного напряжения.

E) Стабилизирует работу транзистора VT3.

F) Является элементом делителя напряжения.

$$$ 97

Операционный усилитель можно использовать в качестве:

A) Стабилизатора напряжения высокой мощности.

B) Маломощного стабилизатора напряжения.

C) Инвертирующего усилителя.

D) Неинвертирующего усилителя.

E) Стабилитрона.

F) Стабилизатора тока.

G) Стабилизатора мощности нагрузки.

$$$ 98

На базе операционного усилителя:

A) Может быть создан буферный усилитель с невысокими эксплуатационными характеристиками.

B) Может быть создан буферный усилитель с хорошими эксплуатационными характеристиками.

C) Могут быть созданы узлы для решения дифференциальных уравнений.

D) Можно создать буферный усилитель при включении в цепь обратной связи конденсатора.

E) Могут создать только узлы для решения дифференциальных уравнений.

F) Могут создать узлы для выполнения математических операций.

G) Нельзя создать буферный усилитель.

$$$ 99

Схема какого функционального узла представлена на рисунке:

A) Полусумматор.

B) Дифференциатор.

C) Интегратор.

D) Масштабный множитель.

E) Усилитель-нормализатор.

F) Интегрирующий усилитель.

G) Дифференцирующий усилитель.

$$$ 100

Какую функциональную зависимость реализует схема, представленная на рисунке:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 101

Схема какого функционального узла представлена на рисунке:

A) Полусумматор.

B) Дифференциатор.

C) Интегратор.

D) Масштабный множитель.

E) Усилитель-нормализатор.

F) Инвертирующий усилитель.

$$$ 102

Схема какого функционального узла представлена на рисунке:

A) Приведенная схема лишена смысла.

B) Буферный усилитель.

C) Усилитель-нормализатор.

D) Масштабный множитель.

E) Дифференциальный усилитель.

$$$ 103

Схема какого устройства представлена ниже на рисунке:

A) Фильтра верхних частот первого порядка.

B) Фильтра нижних частот первого порядка.

C) Фильтра нижних частот первого порядка с буферным повторителем напряжения.

D) Фильтра верхних частот второго порядка.

E) Фильтра нижних частот второго порядка с буферным повторителем напряжения.

F) Активного фильтра.

G) Фильтра верхних частот.

$$$ 104

В представленной ниже схеме емкость конденсатора увеличили в 2 раза. Как изменилась работа схемы:

A) Полоса пропускания фильтра сузилась в 2 раза.

B) Полоса пропускания фильтра увеличилась в раз.

C) Полоса пропускания фильтра увеличилась в 2 раза.

D) Полоса пропускания фильтра сузилась в раз.

E) Схема может самовозбудиться.

F) Полоса пропускания фильтра уменьшилась.

$$$ 105

Схема какого устройства представлена ниже на рисунке:

A) Фильтра нижних частот с отсутствием инвертирования входного сигнала.

B) Фильтра верхних частот с усилением сигнала по напряжению.

C) Делителя напряжения с усилением.

D) Активного фильтра нижних частот.

E) Фильтра нижних частот с усилением сигнала по напряжению.

$$$ 106

Схема какого устройства приведена ниже на рисунке:

A) Фильтра верхних частот.

B) Фильтра третьего порядка.

C) Полосового фильтра.

D) Фильтра нижних частот с максимально равномерной характеристикой.

E) Фильтра верхних частот третьего порядка.

$$$ 107

Схема какого устройства приведена ниже на рисунке:

A) Фильтра верхних частот с максимально равномерной характеристикой.

B) Фильтра нижних частот с максимально равномерной характеристикой.

C) Полосового фильтра.

D) Фильтра нижних частот третьего порядка.

E) Активного селективного фильтра.

F) Фильтра верхних частот третьего порядка.

$$$ 108

Схема какого устройства представлена ниже на рисунке:

A) Селективного усилителя с частотно-избирательным фильтром.

B) Усилителя верхних частот.

C) Усилителя нижних частот.

D) Генератора синусоидальных колебаний.

E) Мультивибратора.

F) Селективного усилителя.

G) Активного полосового фильтра.

$$$ 109

Схема какого устройства представлена ниже на рисунке:

A) Генератора Колпица.

B) Генератора Хартлея.

C) Резонансного усилителя.

D) Селективный усилитель.

E) Усилителя резонансной частоты.

F) Формирователя.

$$$ 110

Наиболее эффективным фильтром для снижения пульсаций на выходе выпрямителя является:

A) Конденсатор.

B) RC-фильтр.

C) LC-фильтр.

D) Т-образный фильтр.

E) Двойной Т-образный фильтр.

$$$ 111

К какому типу цепей относится цепь, приведенная на рисунке:

A) Дифференцирующая.

B) Интегрирующая.

C) Интегрирующая активная.

D) Интегрирующая пассивная.

E) Полосовой фильтр.

F) Активная.

G) Дифференцирующая пассивная.

$$$ 112

К какому типу цепей относится цепь, приведенная на рисунке:

A) Дифференцирующая активная.

B) Дифференцирующая пассивная.

C) Интегрирующая активная.

D) Активная.

E) Интегрирующая.

F) Интегрирующая пассивная.

G) Дифференцирующая пассивная.

$$$ 113

Какие пары приведенных цепей имеют одинаковое функциональное назначение:

A) 1,2; 3,4.

B) 1,3; 2,4.

C) 1,4.

D) 1,3.

E) 2,3.

F) 1,4; 2,3.

$$$ 114

Как изменится напряжение на коллекторе транзистора, если увеличить резистор :

A) Увеличится.

B) Не изменится.

C) Уменьшится.

D) Изменит фазу.

E) Станет равным нулю.

$$$ 115

Как изменится напряжение на коллекторе транзистора, если уменьшить резистор :

A) Увеличится.

B) Не изменится.

C) Уменьшится.

D) Изменит фазу.

E) Станет равным нулю.

$$$ 116

Логический элемент "И-НЕ" реализует логическую функцию:

A) Пирса.

B) Шеффера.

C) Дизъюнкции.

D) Конъюнкции.

E) Инверсии.

$$$ 117

Логический элемент "ИЛИ-НЕ" реализует логическую функцию:

A) Конъюнкции.

B) Дизъюнкции.

C) Шеффера.

D) Инверсии.

E) Пирса.

F) Запрета.

$$$ 118

Логический элемент "И" реализует логическую функцию:

A) Конъюнкции.

B) Дизъюнкции.

C) Шеффера.

D) Пирса.

E) Инверсии.

F) Запрета.

G) Импликации.

$$$ 119

Булево выражение для функции «исключающее ИЛИ-НЕ» имеет вид:

A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 120

Эта схема реализует следующую логическую функцию:

A) 2И–НЕ.

B) ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ.

C) 2И.

D) 2ИЛИ.

E) ИЛИ–НЕ.

F) Инверсия дизъюнкции.

$$$ 121

Какая из микросхем содержит элементы типа "И-НЕ":

A) К155ЛИ1.

B) К155ЛН2.

C) К155ЛЛ1.

D) К155ЛЕ1.

E) К155ЛА3.

F) К155ЛА2.

$$$ 122

Какая из микросхем содержит элементы типа "И":

A) К155ЛИ1.

B) К155ЛИ2.

C) К155ЛЕ1.

D) К155ЛЛ1.

E) К155ЛА3.

$$$ 123

Логическая функция конъюнкции реализуется логическим элементом:

A) И.

B) НЕ.

C) ИЛИ.

D) И-НЕ.

E) ИЛИ-НЕ.

F) Импликатором.

G) Запретом.