Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как противостоять манипуляциям мужчин? Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Электронные ключи и простейшие схемы формирования





Импульсов

 

Отличительной особенностью импульсных схем является применение электронных ключей. Ключ – это элемент, который имеет два устойчивых состояния: вкючено, выключено.Через идеально разомкнутый ключ ток не протекает. Напряжение на идеально замкнутом ключе равно нулю. Наиболее близким по параметрам к идеальному ключу есть электромеханический контакт (ключ), который имеет бесконечное сопротивление в разомкнутом состоянии нулевое в замкнутом. Такой ключ приведен на мал5.4.

 

Рис.3.4.

Возможно использовать диодные ключи. При этом схема может иметь вид (мал.3.5).

 

 

 

Рис.3.5. Диодный ключ

 

Широкое применение в качестве электронных ключей находят транзисторные каскады, в первую очередь каскад с общим эмиттером (ОЭ). Рассмотрим работу такого каскада в ключевом режиме.

Рис.3.6. Каскад з СЕ

При рассмотрении воспользуемся графическим методом расчета транзисторных цепей

 

 

Рис.3.7. Схема для расчета (выходная характеристика).

 

На рис.3.7. приведена выходная характеристика транзистора, на которой нанесена нагрузочная линия, пересекающая оси координат в точках (Uкк, ίк=0)и(Uк=0, ίк= Εк/Rк). В ключевом режиме транзистор может находиться в двух основных состояниях:

 

1. Режим отсечки (ключ разомкнут). При этом через транзистор протекает минимальный ток. Это состояние соответствует точке А на диаграмме рис.3.7 iккбо=0, напряжение на транзисторе Uк=ЕК Транзистор в режиме отсечки может быть представлен схемой замещения рис 3.8., содержащей только один источник тока Iкбо , включенный между базой и коллектором.

 

Рис. 3.8. Рис. 3.9

 

Для того, чтобы транзисторный ключ находился в разомкнутом состоянии, необходимо выполнить условие отсечки: сместить в обратном направлении эмиттерный переход транзистора или для п-р-п транзистора выполнить условие Uб<0

Мощность, теряемая в режиме отсечки на транзисторном ключе, Рк=UкIк мала, так как мал ток.



2. Режим насыщения (ключ замкнут). Минимальное напряжение на транзисторе Uк=Uкэн=0 соответствует точке В на диаграмме рис.3.7. Ток через транзистор ограничен резистором Rк и определяется

Iкн=(Eк-Uкэн)/Rк= Eк/Rк. Транзистор в режиме насыщения представлен схемой замещения рис.3.9.

Режим насыщения достигается уже при iб=Iбн=Iкн/h21э. Дальнейшее увеличение тока базы не изменяет тока коллектора. Таким образом, условие насыщения транзистора записывается в виде

Iб>Iбн=Iкн/h21э где Iкн=Eк/Rн

Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие выполнялось при h21э=h21эмин. Величина Sн=iб/Iбн>1 называется коэффициентом насыщениятранзистора. Как и в режиме отсечки, мощность, теряемая на транзисторном ключе Рк=iкUк мала, так как мало напряжение.

При работе транзисторного ключа переход из закрытого состояния в открытое и обратно происходит скачком, потери мощности при этом, как правило, незначительны. Таким образом, работа транзисторного ключа характеризуется малыми потерями мощности и высоким К.П.Д., что является важным преимуществом таких схем.

Рассмотрим возможные варианты создания усилительных каскадов. Одним из наиболее современных вариантов, это построение усилителей на базе операционных усилителей.

 








Date: 2016-05-18; view: 78; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2018 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию