Перечень практических заданий

1. Транзистор ГТ329А. По выходным характеристикам указанного транзистора определить коэффициент передачи по току при неизменном напряжении на коллекторе U_КЭ =2,5 В и токах базы: I_Б1 = 15 мкА; I_Б2 = 45 мкА; I_Б3 = 75 мкА; I_Б4 =105 мкА. Построить график зависимости h₂₁ = f /I_Б / при U_КЭ = 2,5 В.

2. При постоянном напряжении на коллекторе транзистора, ток эмиттера изменился с 20 мА до 30 мА. Определить соответствующее изменение тока коллектора ΔIк, если коэффициент передачи по току транзистора при короткозамкнутом выходе в схеме с ОБ /общая база/ равен h₂₁ = 0,98.

3. В схеме с ОЭ /общий эмиттер/ рассчитать: сопротивление резисторов базового делителя - R_б1, R_б2 ; сопротивление элемента стабилизации в цепи эмиттера – Rэ. Известно, что напряжение питания каскада Ек = 24 В, ток базового делителя Iд = 1,8 мА_, ток покоя коллектора Iкп = 8 мА, напряжение на базе U_БЭП = 0,45 В, напряжение на резисторе Uэп = 8 В, h₂₁ = 50.

4. В схеме с ОБ /общая база/ сопротивление на входных зажимах транзистора h₁₁ = 10 Ом, ток эмиттера 6 мА. Как изменится напряжение на эмиттере Uэб, если ток эмиттера уменьшится до 4 мА?

5. Для транзистора, в схеме с ОБ /общая база/, дано значение коэффициента передачи по току h₂₁ = 0,95. Определить коэффициенты передачи по току для транзистора в схемах с ОЭ /общий эмиттер/, ОК /общий коллектор/.

6. Транзистор КТ355А. Для указанного транзистора построить нагрузочную характеристику при Ек = 12 В, Rн = 1 кОм. Задаться рабочей точкой в режиме класса А и для выбранной РТ /рабочей точки/ определить I_БП, I_КП, Uкэп, мощность рассеяния на коллекторе в режиме покоя.

7. Транзистор ГТ322А. Определить рабочую область на ВАХ транзистора ГТ322А. Определить по ВАХ транзистора параметры - h₂₁, h₂₂.

8. Транзистор П29. На семействе выходных характеристик указанного транзистора построить нагрузочные характеристики: при R_К1 = 1,25 кОм; R_К2 = 1 кОм; R_К3 = 0,5 кОм; R_К4 = 0 кОм и Ек = 10 В. определить какие из нагрузочных характеристик укладываются в рабочую область ВАХ, а какие нет.

9. Условие 1. Обратный ток коллекторного перехода транзистора I_КО = 2 мкА при напряжении между коллектором и базой U_КБ = 5 В и отключенном эмиттере. Определить обратное сопротивление коллекторного перехода постоянному току. Условие 2. Напряжение на коллекторе запертого транзистора Е_К = 60 В. транзистор нагружен на сопротивление в коллекторной цепи R_Н = 2 кОм. Определить ток через транзистор в режиме насыщения.

10. Транзистор ГТ308Б. По выходным характеристикам транзистора найти изменение коллекторного тока при изменении тока базы от 200 мкА до 400 мкА, при напряжении на коллекторе U_КЭ = 6 В. Определить параметр h₂₂ при I_Б = 400 мкА, U_КЭ = 6 В.

11. Транзистор ГТ305. Дано: Е_К = 8 В.; R_К = 200 Ом, Р_ДОП. = 75 мВт. Построить нагрузочную характеристику при заданных условиях. Определить протяженность рабочего участка на нагрузочной прямой ВАХ. Указать на характеристике области, соответствующие режимам насыщения, отсечки, активному режиму. Определить, укладывается ли нагрузочная характеристика в рабочую область. Задать положение рабочей точки на ВАХ, определить Р_К в рабочей точке. Сравнить с Р_{К ДОП.}.

12. Транзистор ГТ308Б. Дано: Е_К = 10 В.; R_К = 200 Ом. Построить нагрузочную характеристику при указанных Е_К и R_К. Определить амплитудные значения тока коллектора и напряжения на коллекторе. Определить коэффициент усиления по току в рабочем режиме.

13. Транзистор ГТ308В. Дано: Е_К = 16 В.; R_К = 400 Ом, Р_{К. ДОП.} = 0,15 Вт. Построить нагрузочную характеристику, определить, укладывается ли она в рабочую область ВАХ. Определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя. На ВАХ указать области соответствующие режимам: насыщения, отсечки, активному.

14. Транзистор КТ312А. По входным характеристикам транзистора определить параметры h₁₁; h₁₂ при I_Б = 0,6 мА и U_К = 5 В. Объяснить физическую сущность параметров.

15. Транзистор ГТ308Б. Дано: Е_К = 12 В.; R _К = 300 Ом. Построить нагрузочную характеристику на семействе статических ВАХ. Определить: I_БП, I_КП, I_ЭП, - токи покоя базы, коллектора и эмиттера соответственно.

Примечание.

1. Входные и выходные характеристики транзисторов приведены в Справочнике указанном ниже, в списке литературы - [5].

2. Необходимые характеристики вычертить с увеличением масштаба, в пределах листа формата А 4.

Литература

1. Ф.И. Вайсбурд «Электронные приборы и усилители» М: Едиториал УРСС, 2004.

2. В.И. Лачин «Электроника» Ростов – на – Дону, «Феникс» 2002.

3. В.Ш. Берикашвили «Электронная техника» М: «Академия» 2007.

Дополнительная

4. И.П. Жеребцов «Основы электроники» Энергоатомиздат 1989.

5. СПРАВОЧНИК по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под редакцией Н.Н. Горюнова. Москва, «ЭНЕРГИЯ» 1978.

6. СПРАВОЧНИК для аппаратуры широкого применения.

Под ред. Б.Л. Перельмана.

7. Протопопов А.С. Усилительные устройства. М.: Радиотехни­ка, 2003.

8. Протопопов А.С. Усилители с обратной связью, дифференци­альные и операционные усилители и их применение. - М.: Радиотехни­ка, 2003.

9. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань, 2002.