Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Организация оперативного запоминающего устройства (ОЗУ)
|
|
Оперативная память организована на базе больших интегральных схем (БИС) полупроводниковых ОЗУ.
Выбор БИС осуществляют, исходя из разных критериев:
– минимизация аппаратных затрат (число корпусов);
– минимизация потребляемой мощности;
– повышение быстродействия МПС и других.
Число микросхем m оперативной памяти требуемой емкости Мт определяют по формуле
m = Mт / M1
где М1 – емкость одной выбранной микросхемы.
При наращивании разрядности организуют линейки. Количество микросхем в каждой линейке
m1 = n т / n
где n т – требуемая разрядность;
n – разрядность выбранной микросхемы.
Количество линеек mл определяют по формуле
mл = m / m1 .
Для активизации одной из двух линеек применяют логический элемент НЕ или, при большем количестве линеек, дешифратор, на входы которого подается двоичный код адреса линейки. Выходы дешифратора соединяют с входами СS (выбор кристалла) всех микросхем. При СS = 1 обращение к микросхемам в данной линейке будет заблокировано (режим хранения). При СS = 0 – обращение разрешается. При формировании сигнала СS используют незадействованные старшие разряды адресной шины.
Для обеспечения режима записи двоичных слов или их чтения в микросхемах ОЗУ предусмотрены входы RD/WR (чтение/запись). Причем, при RD/WR = 0 обеспечивается режим записи, при RD/WR = 1 – режим чтения.
В таблице 2 приведены основные параметры некоторых микросхем оперативной памяти.
Таблица 2
| Тип микросхемы | Емкость | Время цикла (выборки), нс | Потребляемая мощность, мВт | Напряжение питания, В | Технология |
| К155РУ5 | 256Х1 | < 735 | ТТЛ | ||
| КР537РУ13А | 1КХ4 | КМДП | |||
| КР541РУ5 | 1КХ8 | (55) | < 500 | ИИЛ-ТТЛ | |
| КР537РУ10 | 2КХ8 | КМДП | |||
| КМ132РУ13А | 2КХ8 | (55) | n-МДП | ||
| К537 РУ14А | 4КХ1 | КМДП | |||
| КМ132РУ12А | 4КХ4 | (50) | n-МДП | ||
| КР132РУ6А | 16КХ1 | n-МДП | |||
| КМ132РУ10А | 64КХ1 | n-МДП |
Исходя из минимизации аппаратных затрат выберем из таблицы 1 микросхему ОЗУ КМ132РУ10А. Она содержит 64К ячеек с разрядностью 1 бит. Для построения ОЗУ емкостью 64КХ8 потребуется 8 таких микросхем, так как
.
На рисунке 1 приведена схема построения такого ОЗУ. У каждой микросхемы количество адресных входов А = 16, так как 216 обеспечивает адресацию 65536 ячеек памяти разрядностью 1 бит. При организации восьми микросхем ОЗУ в одну линейку получается заданная емкость Q = 64K·8.
Рисунок 1. Схема построения ОЗУ
Для активизации одновременно всех восьми микросхем необходимо обеспечить подачу логического нуля на все их входы, обозначенные как CS. По входам DI (data input) идет запись, а по DO (data output) – считывание информации, записанной в микросхемы памяти.
Date: 2016-01-20; view: 582; Нарушение авторских прав