Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Статический режимСтр 1 из 8Следующая ⇒ Ключи на биполярных и полевых транзисторах. Статический и динамический режим работы. Ключ на БПТ. Резистор в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор является внутренней нагрузкой ключа, а резистор – его внешней нагрузкой. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину
Статический режим. В статическом режиме ключ может быть закрыт (транзистор находится в режиме отсечки) либо открыт (транзистор находится в режиме насыщения). Ключ закрыт, когда напряжение на входе меньше напряжения логического нуля . Если входное напряжение равно нулю, транзистор находится в состоянии отсечки. В этом режиме Переходные процессы определяются: наличием емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. При переключениях происходит заряд и разряд этих емкостей. Накоплением и рассасыванием неосновных носителей в базе при переходе транзистора в режимы насыщения и отсечки. На интервале времени ключ закрыт. Здесь – время спада коллекторного тока. Электронные ключи на полевых транзисторах. из всего многообразия полевых транзисторов для построения электронных ключей наибольшее распространение получили МДП - транзисторы с индуцированным каналом. Транзисторы этого типа характеризуются пороговым напряжением, при котором возникает проводимость канала Рис. 3 Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах обусловлены переносом носителей через канал и перезарядом междуэлектродных емкостей, емкостей нагрузки и монтажа. Так как электроны обладают более высоким быстродействием, чем дырки, то n-канальные транзисторы обладают лучшим быстродействием по сравнению с р-канальными. Переходные процессы в ключах на МДП транзисторах происходят, как показано на рис. 4. На первом этапе происходит заряд емкости и перезаряд до напряжения на затворе, равном пороговому. Транзистор при этом остается запертым. Длительность этого этапа: На втором этапе транзистор отпирается и переходит в активный усилительный режим. На этом этапе перезаряд замедляется за счет действия отрицательной обратной связи (эффект Миллера). В течение 3-го этапа напряжение на затворе остается практически постоянным. По окончании перезаряда емкости напряжение на затворе увеличивается до величины . Выключение происходит в обратном порядке.
|