Масочные ЗУ

Сообщение

по дисциплине МДК.01.01 ЦИФР СХЕМОТЕХ-КА

на тему: "Запоминающие устройства типа ROM,PROM,EPROM,EEPROM"

Выполнил:

студент группы 313-к

Мостачев Дмитрий Михайлович

Преподаватель:

Ларкин Андрей Геннадьевич

Смоленск 2015г.

Запоминающие устройства типа ROM (память только для чтения) хранят информацию, которая либо вообще не изменяется (в ЗУ типов ROM(M) и PROM), либо изменяется редко и не в оперативном режиме (в ЗУ типов EPROM и EEPROM).

В масочные ЗУ типа ROM(M) информация записывается при изготовлении микросхем на промышленных предприятиях с помощью шаблона (маски) на завершающем этапе технологического процесса.

ЗУ типа PROM программируются после изготовления их предприятием электронной промышленности в лабораториях потребителей без использо­вания сложных технологических процессов. Для этого используются не­сложные устройства (программаторы).

Программирование постоянной памяти заключается в том или ином разме­щении элементов связи между горизонтальными и вертикальными линиями матрицы запоминающих элементов.

Запоминающие устройства типа ROM имеют многоразрядную организацию (чаще всего 8-разрядную или 4-разрядную, для некоторых ИС 16-разрядную) и обычно выполняются по структуре 2DM. Простейшие ЗУ мо­гут иметь структуру 2D. Технологии изготовления постоянных ЗУ разнооб­разны — ТТЛ(Ш), КМОП, n-МОП и др.

Масочные ЗУ

Элементом связи в масочных ЗУ могут быть диоды, биполярные транзисто­ры, МОП-транзисторы и т. д.

В матрице диодного ROM(M) горизонтальные линии являются линиями выборки слов, а вертикальные — линиями считывания, Считываемое слово определяется расположением диодов в узлах координатной сетки. При наличии диода высокий потенциал выбранной горизонтальной линии передается на соответствующую вертикальную линию, и в данном разряде слова появляется сигнал логической единицы. При отсутствии диода потен­циал близок к нулевому, т. к. вертикальная линия через резистор связана с землей. В изображенной матрице при возбуждении линии выборки Ш1(1) считывается слово (в ячейке номер один хранится это слово). При возбуждении Ш2 считывается слово (оно хранится в ячейке номер 2). Шины выборки являются выходами дешифратора адреса, каждая адресная комбинация возбуждает свой выход дешифратора, что приводит к считыванию слова из адресуемой ячейки.

В матрице с диодными элементами в одних узлах матрицы диоды изготов­ляются, в других — нет. При этом, чтобы удешевить производство, при из­готовлении. ЗУ стремятся варьировать только один шаблон, так чтобы одни элементы связи были законченными и работоспособными, а другие — не завершенными и как бы отсутствующими. Для матриц с МОП-тран­зисторами часто в МОП-транзисторах, соответствующих хранению нуля, увеличивают толщину подзатворного окисла, что ведет к увеличению поро­гового напряжения транзистора. В этом случае рабочие напряжения ЗУ не в состоянии открыть транзистор. Постоянно закрытое состояние транзистора аналогично его отсутствию. Матрица с МОП-транзисторами показана на рис. 4.12,.

Рис. 4.12. (окончание) Матрица МОП-транзисторных элементов (б)

ЗУ с масочным программированием отличаются компактностью запоми­нающих элементов и, следовательно, высоким уровнем интеграции. При больших объемах производства масочное программирование предпочтитель­но, однако при недостаточной тиражности ЗУ затраты на проектирование и изготовление шаблона для технологического программирования ЗУ окажут­ся чрезмерно высокими. Отсюда видна и область применения масочных ЗУ — хранение стандартной информации, имеющей широкий круг потреби­телей. В частности, масочные ЗУ имеют в качестве "прошивки"(2) коды букв алфавитов (русского и латинского), таблицы типовых функций (синуса, квадратичной функции и др.), стандартное программное обеспечение и т. п.