Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Экзаменационный билет № 6
|
|
1. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом.
2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода.
СОСТАВИЛ: старший преподаватель кафедры АИВС
Чернышев О.Ю.
УТВЕРЖДАЮ: заведующий кафедрой АИВС
Крушный В.В.
«07» декабря 2012 г.
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ
СНЕЖИНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
Кафедра АИВС
Курс: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Экзаменационный билет № 7
1. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.
2. Технологические методы изготовления транзисторов. Сплавная технология. Диффузионная технология.
СОСТАВИЛ: старший преподаватель кафедры АИВС
Чернышев О.Ю.
УТВЕРЖДАЮ: заведующий кафедрой АИВС
Крушный В.В.
«07» декабря 2012 г.
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ
СНЕЖИНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
Кафедра АИВС
Курс: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Экзаменационный билет № 8
1. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.
2. Емкость полупроводникового диода.
СОСТАВИЛ: старший преподаватель кафедры АИВС
Чернышев О.Ю.
УТВЕРЖДАЮ: заведующий кафедрой АИВС
Крушный В.В.
«07» декабря 2012 г.
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ
СНЕЖИНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
Кафедра АИВС
Курс: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Экзаменационный билет № 9
1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения.
2. Выходные характеристики транзисторов.
СОСТАВИЛ: старший преподаватель кафедры АИВС
Чернышев О.Ю.
УТВЕРЖДАЮ: заведующий кафедрой АИВС
Крушный В.В.
«07» декабря 2012 г.
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ
СНЕЖИНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
Кафедра АИВС
Курс ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Date: 2015-05-23; view: 385; Нарушение авторских прав