Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Основные теоретические положения. Удельная электропроводность полупроводника определяется соотношением:Удельная электропроводность полупроводника определяется соотношением: , (1) где n, p – концентрация свободных электродов и дырок соответственно; – их подвижность; e – заряд электрона. Подвижность носителей тока сравнительно слабо зависит от температуры, а их концентрация сильно меняется с температурой и определяется функцией распределения носителей заряда Ферми- Дирака [1]. , (2) где – положение уровня Ферми (химического потенциала) в энергетической зоне. Внутренний фотоэффект – процесс образования добавочных свободных носителей тока, а значит и увеличения электропроводности проводника под действием света. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. Существует три пути увеличения концентрации носителей под действием света: 1) в собственном проводнике кванты света вырывают электроны из валентной (заполненной) зоны и забрасывают их в зону проводимости, при этом одновременно образуется равное число дырок в валентной зоне (рис. 1, а);
Рис. 1 2) в примесном полупроводнике n- типа (электронном) электроны забрасываются с донорных уровней в зону проводимости, и увеличивается электронная проводимость (рис. 1, б); 3) в полупроводнике p -типа (дырочном) электроны вырываются из валентной зоны и забрасываются на акцепторные уровни, при этом возрастает дырочная проводимость (рис. 1, в). При освещении находящегося под напряжением полупроводника в нем течет световой ток I.
|