Стадия роста зародышей

Коллоидная теория при интерпретации явлений, связанных с ростом кристаллов, исходит из связи между формой кристалла и поверхностной энергией всех его граней. Согласно диффузионной трактовке роста кристаллов, процесс образования кристаллической грани протекает с большой скоростью и зависит только от скорости диффузии. Поскольку процесс является диффузионным, основным параметром для его регулирования является температура

Если предположить, что процесс роста грани является более медленным, чем процесс подвода вещества, изменение концентрации вещества имеет вид.

Тогда рост нанокристаллов сферической формы может быть описан следующим выражением

На рисунке показана кинетика роста наночастиц CdSe (экспериментальные данные и аппроксимация выражением для роста сферических наночастиц)

Зависимость размера нанокристаллов CdSe от времени роста

Date: 2015-05-18; view: 493; Нарушение авторских прав