Полная ВАХ диодов

Полная ВАХ диода (в I квадранте масштаб на 3 порядка больше, чем в III).

S – площадь перехода, Iдрейф – дрейфовая плотность тока.

0-1: Сказывается объемное сопротивление слоев p-n структуры, которое растет с ростом тока, когда существенно увеличивается падение напряжения на диоде DU_пр. В кремниевых диодах DU_пр = 0,8...1,2В (из-за большого удельного сопротивления), в германиевых DU_пр = 0,3...0,6В.

1-2: Оказывает влияние ТОК УТЕЧКИ через поверхность p-n перехода и ГЕНЕРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, которая является причиной возможного пробоя p-n перехода. Ток утечки линейно зависит от величины приложенного к диоду обратного напряжения U_обр,: ток утечки создается различными загрязнениями на внешней поверхности полупроводниковой структуры, которые увеличивают проводимость кристалла и обратный ток через диод I_обр.

2-3: ( Генерация зарядов начинается, когда U_обр >U_доп). Изменение характеристики до пробоя.

3-4: Резкое возрастание обратного тока, оно характеризует пробой p-n перехода. Пробой бывает электронный и тепловой. Электронный пробой бывает лавинный и туннельный. Лавинный возникает при энергии достаточной до отрыва электрона, образуется пара, которая ускоряется и т.д.. Он возникает в широких p-n переходах. Туннельный пробой, под действием электрического поля, происходит непосредственный отрыв электронов, без столкновения, увеличивается обратный ток, возникает в узких p-n переходах.

5-4: Тепловой пробой. Разрушение локального участков и превышение критической концентрации электронов.

9.Емкость рп-перехода (складывается из диффузионной и барьерной емкости)

Величина барьерной емкости составляет 10 и 100 пкФарад, для ее уменьшения нужно увеличить обратное и.

Емкость зависит от площади обкладок конденсатора и от расстояния между ними. Падение напряжения расширяет рп-переход, что применяется в дистанционном управлении. Диффузионная емкость имеет место при протекании прямого тока, она больше барьерной емкости, составляет сотни тысяч пкФарад. Добротность такой емкости невелика.

Светодиодный индикатор – полупроводниковый прибор излучающий свет.

Схема включения светодиодного индикатора ничем не отличается от схемы включения параметрического диодного эл-та, включает 2 или 3 эл-та:

Самая простейшая схема- однополупериодная схема.

Нужно знать Rб, который рассчитывается как:

Rб=(Uвх - Uvd)/Ivdном, где Uvd- падение напряжение на диоде;

Ivdном – номинальный ток горения стабилитрона он находится в пределах 10мА…..20мА. 2 Вт мощности резистра хватит на управления любым светодиодным индикатором.