Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Конденсаторы
|
|
Структура и конфигурация типичного пленочного конденсатора показаны на рисунке 5.3. Емкость конденсатора определяется по формуле
С= С0×S, где С0 – удельная емкость конденсатора зависит от материала диэлектрика и толщины пленки, S- площадь конденсатора. Толщина диэлектрической пленки d существенно зависит от технологии: для тонких пленок d = 0,1 - 0,2 мкм, для толстых d = 10 - 20 мкм. Поэтому при прочих равных условиях удельная емкость С0 толстопленочных конденсаторов меньше, чем тонкопленочных. Однако различие в толщине диэлектрика может компенсироваться благодаря различию диэлектрических проницаемостей материалов.
При выборе диэлектрика для высокочастотных конденсаторов (как тонко-, так и толстопленоч- ных) приходится дополнительно учитывать потери энергии в диэлектрике. Что касается омических потерь в обкладках пленочных конденсаторов, то они гораздо меньше, чем у полупроводниковых конденсаторов, потому что в качестве обкладок используются металлические слои с высокой проводимостью поэтому добротность таких конденсаторов высокая и может достигать Q=100.
Рисунок 5.3
В таблице 5.3 приведены типичные параметры пленочных конденсаторов. Из таблицы можно сделать следующие общие выводы:
Таблица 5.3
| Диэлектрик | e | С0, нФ/см2 | Диэлектрик | e | С0, нФ/см2 |
| GeO | 10-12 | 5-15 | Ta2 O5 | 20-22 | 50-200 |
| SiO | 5-6 | 5-10 | Sb2 S3 | 18-20 | 10-15 |
| SiO2 | Паста | - | 4-10 | ||
| Al2 O3 | 30-40 |
Примечание: паста используется в толстопленочных ГИМС.
- удельные емкости пленочных конденсаторов (при надлежащем выборе диэлектрика) в несколько раз превышают удельную емкость МОП-конденсаторов и тем более диффузионных конденсаторов;
- максимальные емкости пленочных конденсаторов могут быть на несколько порядков больше, чем емкости полупроводниковых конденсаторов, главным образом благодаря большей площади (поскольку площадь подложек ГИМС значительно превышает площадь кристаллов полупроводниковых ИС).
Для высокочастотных тонкопленочных конденсаторов оптимальным диэлектриком является моноокись кремния, а также моноокись германия.
Следует заметить, что в последнее время, в связи с наличием миниатюрных дискретных конденсаторов (в том числе с весьма большой емкостью - до нескольких микрофарад), наблюдается тенденция к отказу от пленочных конденсаторов и замене их навесными конденсаторами.
Date: 2015-05-09; view: 653; Нарушение авторских прав