Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Мноп-транзистор
|
|
Особое место среди МДП-транзисторов занимает так называемый МНОП-транзистор, у которого диэлектрик имеет структуру «сэндвича», состоящего из слоев нитрида и окисла кремния (рисунок 4.16б). Слой окисла получается путем термического окисления и имеет толщину 2-5 нм, а слой нитрида - путем реактивного напыления и имеет толщину 0,05-0,1 мкм, достаточную для того, чтобы пробивное напряжение превышало 50-70 В.
Главная особенность МНОП-транзистора состоит в том, что его пороговое напряжение можно менять, подавая на затвор короткие импульсы (100 мкс) напряжения разной полярности, с большой амплитудой (30-50 В). Так, при подаче импульса - 30 В устанавливается пороговое напряжение UЗИО=4В (рисунок 4.16в). Это значение сохраняется при дальнейшем использовании транзистора в режиме малых сигналов (UЗИ £ 10 В); в таком режиме МНОП-транзистор ведет себя как обычный МДП-транзистор с индуцированным p-каналом. Если теперь подать импульс +30 В, то пороговое напряжение сделается равным UЗИ0= 20 В и, следовательно, сигналы UЗИ=10В не смогут вывести транзистор из запертого состояния. Как видим, благодаря гистерезиcной зависимости UЗИ0 МНОП-транзистор можно с помощью больших управляющих импульсов переводить из рабочего в запертое состояние и обратно. Эта возможность используется в интегральных запоминающих устройствах.
В основе работы МНОП-транзистора лежит накопление заряда на границе нитридного и оксидного слоев. Это накопление есть результат неодинаковых токов проводимости в том и другом слоях, где оба тока зависят от напряжения на затворе и меняются в процессе накопления заряда. При большом отрицательном напряжении U3 на границе накапливается положительный заряд. Это сопровождается уменьшением порогового напряжения. При большом положительном напряжении UЗИ на границе накапливается отрицательный заряд. Это приводит к увеличению порогового напряжения.
При малых напряжениях UЗИ токи в диэлектрических слоях уменьшаются на 10 - 15 порядков, так что накопленный заряд сохраняется в течение десятков тысяч часов. Вместе с ним сохраняется и пороговое напряжение.
Date: 2015-05-09; view: 838; Нарушение авторских прав