УДК 621.382. Методические указания по выполнению практических занятий

ЭЛЕКТРОНИКА

Методические указания по выполнению практических занятий

студентов очной формы обучения на базе среднего (полного) общего

образования по направлению 210700

«Инфокоммуникационные технологии и системы связи»

по профилям

«Сети связи и системы коммутации»

«Многоканальные телекоммуникационные системы»

«Цифровое телерадиовещание»

«Оптические системы и сети связи»

«Инфокоммуникационные технологии в сервисах и услугах связи»

направления 210400 «Радиотехника»

по профилю «Аудиовизуальная техника»

Екатеринбург

ББК 32.852

УДК 621.382

Рецензент: доцент, к.т.н., Матвиенко В.А.

Паутов В.И.

Электроника: Методические указания по проведению практических

занятий / В.И. Паутов - Екатеринбург: УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»,

2012, - 46 с.

Методические указания включают указания к пяти практическим занятиям на тему: «Характеристики и параметры полупроводниковых диодов», «Характеристики и параметры биполярного транзистора», «Характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом», «Статический режим работы биполярного транзистора», «Логические элементы цифровых микросхем» и предназначены для студентов всех форм обучения направления 210700 – «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».

Практические занятия проходят с применением моделирующего пакета Electronics Workbench.

Рекомендовано НМС УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» в качестве пособия для проведения практических занятий по направлению 210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» по профилям: «Сети связи и системы коммутации», «Многоканальные телекоммуникационные системы», «Цифровое телерадиовещание», «Оптические системы и сети связи», «Инфокоммуникационные технологии в сервисах и услугах связи».

Кафедра общепрофессиональных дисциплин

©УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ», 2012

Содержание

Пояснительная записка................................... 4

1. Практическое занятие 1................................. 5

1.1 Характеристики и параметры полупроводниковых диодов.. 5

2. Практическое занятие 2................................ 14

2.1 Характеристики и параметры биполярного транзистора.... 14

3. Практическое занятие 3................................. 22

3.1 Характеристики и параметры полевого транзистора

с управляющим p-n-переходом......... 22

4. Практическое занятие 4................................. 30

4.1 Статический режим работы биполярного транзистора....... 30

5. Практическое занятие 5................................. 37

5.1 Логические элементы цифровых микросхем................ 37

Библиографический список................................ 46