Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Объект и средства исследования





МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Курский государственный технический университет

Кафедра вычислительной техники

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Методические указания

к лабораторной работе по дисциплине

“Электроника”

для студентов специальности 220100

Курск 2005


Составитель В.И. Иванов

УДК 681.3

Рецензент

Кандидат технических наук, доцент кафедры конструирования и технологии электронных вычислительных средств О.Г. Бондарь

Статические характеристики и параметры полевого транзистора:Методические указания к лабораторной работе по дисциплине “Электроника” для студентов специальности 220100 / Курск. гос. техн. ун-т; Сост. В.И. Иванов. Курск, 2005. 12 с.

Описывается методика построения статических характеристик и определения статических и дифференциальных параметров полевого транзистора; приведены рекомендации по применению программы моделирования электронных схем Electronics Workbench 5.0 для исследования характеристик транзистора.

Предназначены для студентов специальности 220100.

Ил. 5, табл. 4. Библиогр.: 5 назв.

Текст печатается в авторской редакции

ЛР № 020280 от 09.12.96. ПЛД № 50–25 от 1.04.97.

Подписано в печать Формат 60х84 1/16. Печать офсетная.

Усл. печ. л. Уч.-изд. л. Тираж 75 экз. Заказ.

Курский государственный технический университет.

Издательско-полиграфический центр Курского государственного технического университета.

305040 Курск, ул. 50 лет Октября, 94.


СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Цель работы

Исследование статических вольт-амперных характеристик (ВАХ) полевого транзистора; определение статических и дифференциальных параметров транзистора.

Объект и средства исследования

Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы, у которых для управления током используется зависимость электрического сопротивления токопроводящего слоя (канала) от напряжённости поперечного электрического поля.

Каналом служит однородный слой полупроводника n -типа или p -типа. Внешние выводы от начала канала и его конца называются истоком и стоком. Тонкий слой канала (доли мкм) располагается на подложке – более толстой пластине полупроводника, имеющего противоположный тип проводимости. Для электрической изоляции канала от подложки используется p-n переход между ними, который для этого должен находиться под обратным напряжением.

Управляющий электрод – затвор – располагается вдоль канала и электрически изолирован от него. Изменение потенциала затвора приводит к изменению толщины канала, т.е. его проводимости. Для изоляции затвора от канала используют либо обратно смещенный p-n переход (полевые транзисторы с управляющим p-n переходом), либо слой диэлектрика – двуокиси кремния SiO2 (МДП транзисторы).

В данной работе исследуется полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n -типа. Работа проводится на персональном компьютере с помощью программы схемотехнического моделирования Electronics Workbench 5.0c.

Из набора компонентов " Transistors " выбрать полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n -типа (N-Channel JFET) и через меню "Свойства компонента" (Component Properties…) выбрать заданную модель транзистора фирмы nationl2 согласно таблице 1.

Таблица 1

Вариант Модель Вариант Модель
  J2N 3921   J2N 5103
  J2N 3967   J2N 5199
  J2N 4084   J2N 5358
  J2N 4223   J2N 5545
  J2N 4341   J2N 5558
  J2N 4416   NDF 9410
  J2N 5047   J2N 3958

Собрать схему с общим истоком (см. рис. 1), содержащую источники постоянного напряжения (Battery) в цепях затвора и стока, а также миллиамперметр для измерения тока стока.

Рис. 1. Схема для исследования ВАХ полевого транзистора


Date: 2015-05-09; view: 423; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию