Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Объект и средства исследованияСтр 1 из 3Следующая ⇒ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Курский государственный технический университет Кафедра вычислительной техники СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методические указания к лабораторной работе по дисциплине “Электроника” для студентов специальности 220100 Курск 2005 Составитель В.И. Иванов УДК 681.3 Рецензент Кандидат технических наук, доцент кафедры конструирования и технологии электронных вычислительных средств О.Г. Бондарь Статические характеристики и параметры полевого транзистора:Методические указания к лабораторной работе по дисциплине “Электроника” для студентов специальности 220100 / Курск. гос. техн. ун-т; Сост. В.И. Иванов. Курск, 2005. 12 с. Описывается методика построения статических характеристик и определения статических и дифференциальных параметров полевого транзистора; приведены рекомендации по применению программы моделирования электронных схем Electronics Workbench 5.0 для исследования характеристик транзистора. Предназначены для студентов специальности 220100. Ил. 5, табл. 4. Библиогр.: 5 назв. Текст печатается в авторской редакции ЛР № 020280 от 09.12.96. ПЛД № 50–25 от 1.04.97. Подписано в печать Формат 60х84 1/16. Печать офсетная.
Курский государственный технический университет. Издательско-полиграфический центр Курского государственного технического университета. 305040 Курск, ул. 50 лет Октября, 94. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Исследование статических вольт-амперных характеристик (ВАХ) полевого транзистора; определение статических и дифференциальных параметров транзистора. Объект и средства исследования Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы, у которых для управления током используется зависимость электрического сопротивления токопроводящего слоя (канала) от напряжённости поперечного электрического поля. Каналом служит однородный слой полупроводника n -типа или p -типа. Внешние выводы от начала канала и его конца называются истоком и стоком. Тонкий слой канала (доли мкм) располагается на подложке – более толстой пластине полупроводника, имеющего противоположный тип проводимости. Для электрической изоляции канала от подложки используется p-n переход между ними, который для этого должен находиться под обратным напряжением. Управляющий электрод – затвор – располагается вдоль канала и электрически изолирован от него. Изменение потенциала затвора приводит к изменению толщины канала, т.е. его проводимости. Для изоляции затвора от канала используют либо обратно смещенный p-n переход (полевые транзисторы с управляющим p-n переходом), либо слой диэлектрика – двуокиси кремния SiO2 (МДП транзисторы). В данной работе исследуется полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n -типа. Работа проводится на персональном компьютере с помощью программы схемотехнического моделирования Electronics Workbench 5.0c. Из набора компонентов " Transistors " выбрать полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n -типа (N-Channel JFET) и через меню "Свойства компонента" (Component Properties…) выбрать заданную модель транзистора фирмы nationl2 согласно таблице 1. Таблица 1
Собрать схему с общим истоком (см. рис. 1), содержащую источники постоянного напряжения (Battery) в цепях затвора и стока, а также миллиамперметр для измерения тока стока. Рис. 1. Схема для исследования ВАХ полевого транзистора
|