Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Перечень принятых обозначений
I – ток IПР, IОБР – прямой и обратный ток соответственно IРАБ –ток в рабочей точке IСТ –ток стабилизации Im –амплитудное значение тока IДР, IДИФ – дрейфовый и диффузионный токи соответственно IОБЩ – общий ток в полупроводнике IДРn, IДРp – электронная и дырочная составляющие дрейфового тока соответственно IДИФn, IДИФp – электронная и дырочная составляющие диффузионного тока соответственно In, Ip – электронный и дырочный ток соответственно IС –ток стока полевого транзистора IЗ –ток затвора IЭ , IБ , IК , –ток эмиттера, базы и коллектора соответственно IКБО – обратный ток коллекторного перехода IКЭО – обратный коллекторный ток в схеме с общим эмиттером IК max – максимально допустимый выходной ток биполярного транзистора IС max – максимально допустимый выходной ток полевого транзистора IВХ, IВЫХ – входной и выходной токи соответственно J – плотность тока Jn, Jр – плотность электронной и дырочной составляющих тока соответственно q – заряд электрона n – концентрация носителей заряда, количество, квантовое число n0 – равновесная концентрация электронов ni – собственная концентрация электронов nn,nр – концентрация электронов в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно р – концентрация дырок р0 – равновесная концентрация дырок рi – равновесная концентрация дырок рn, рр концентрация дырок в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно μ – подвижность носителей заряда μn, μр – подвижность электронов и дырок соответственно μПТ – коэффициент усиления полевого транзистора V – скорость движения зарядов Vср – средняя скорость движения зарядов S – площадь; крутизна передаточной характеристики S0 – крутизна передаточной характеристики полевого транзистора при UЗИ =0 E – напряженность электрического поля Еg – ширина запрещенной зоны Ее – энергетический уровень электрона ЕF – уровень Ферми ЕС – дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного электрона ЕV – потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного электрона ЕАК.n, ЕАК.р – энергия ионизации (активации) донорной и акцепторной примесей соответственно ЕВНУТР, ЕВНЕШ – внутренне и внешнее электрические поля соответственно ЕКВ – энергия кванта σ – удельная электропроводность σn, σp – удельная электропроводность полупроводника n – типа и р – типа соответственно σi – удельная электропроводность собственного полупроводника ρ – удельное сопротивление Nc(T), Nν(T) – эффективные плотности состояний на краях зон проводимости (дно) и валентной (потолок) соответственно Т – абсолютная температура k – постоянная Больцмана GГЕН – скорость тепловой генерации RРЕК – скорость тепловой рекомбинации γР – вероятность генерации одной пары электрон-дырка в единичном объеме за одну секунду γ Э – коэффициент инжекции эмиттера Р(…) – вероятность ND, NА – концентрация нейтральных атомов примесей полупроводника электронного и дырочного типов соответственно ND+, NА- – концентрация ионизованных атомов донорной и акцепторной примесей соответственно D – коэффициент диффузии Dn, Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно DИ – коэффициент прохождения φТ – тепловой потенциал Δn, Δp – избыточная концентрация электронов и дырок соответственно Gn, Rn – тепловая скорость генерации электронов и дырок соответственно τ – время жизни носителей заряда, постоянная времени τn, τp – время жизни электронов и дырок соответственно τОБ, τПОВ – объемное и поверхностное время жизни электронов и дырок соответственно τТ – тепловая постоянная времени структуры диода L - индуктивность Ln, Lp - диффузионная длина электронов и дырок соответственно ε0 – диэлектрическая проницаемость вакуума ε – относительна я диэлектрическая проницаемость материала U – напряжение UК – контактная разность потенциалов UПР. UОБР – прямое и обратное напряжение соответственно UБ – напряжение потенциального барьера UГ – напряжение генератора UR – напряжение на нагрузке UРАБ – напряжение в рабочей точке UВХ, UВЫХ – входное и выходное напряжения соответственно UСТ – напряжение стабилизации UП – напряжение питания UПРОБ – пробивное напряжение UН – номинальное напряжение UЗИ – напряжение затвор – исток полевого транзистора UСИ – напряжение сток – исток полевого транзистора UЗИ.отс – напряжение отсечки полевого транзистора UПОР – пороговое напряжение UБЭ – напряжение база – эмиттер UКЭ – напряжение коллектор – эмиттер UКЭmax – максимально допустимое напряжение между выходными электродами для биполярного транзистора UСИmax – максимально допустимое напряжение между выходными электродами для полевого транзистора UОСТ – остаточное напряжение d0 – толщина р – n перехода d – толщина резкого р – n перехода, толщина i – слоя p-i-n диода dn, dp, – глубина проникновения ОПЗ в n и р области соответственно Rp-n – сопротивление р – n перехода C – емкость СВХ., СВЫХ – входная и выходная емкости соответственно СЭКВ. – эквивалентная емкость СБ., СДИФ – барьерная и диффузионная емкость соответственно СН. – емкость нагрузки СМ. – емкость монтажа СVD – емкость варикапа СТ –теплоемкость структуры СЗС –проходная емкость полевого транзистора СЗИ –входная емкость полевого транзистора ССИ –выходная емкость полевого транзистора QБ, QДИФ – объемный и диффузионный заряд равновесных носителей соответственно Q – добротность QНАК – накопленный заряд QК – коэффициент качества R – сопротивление RОГР – ограничительное сопротивление RН – сопротивление нагрузки RТ – тепловое сопротивление RС – сопротивление стока полевого транзистора RИ –сопротивление истока полевого транзистора Ri – выходное сопротивление транзистора Riн – динамическое сопротивление полевого транзистора RВХ, RВЫХ – входное и выходное сопротивления соответственно RЭ – эквивалентное сопротивление RД – динамическое сопротивление f – частота fкр – критическая частота ω – круговая частота Р – мощность РРАС. макс – максимальная рассеиваемая мощность РКmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом биполярного транзистора РСmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом полевого транзистора РПОЛ – полезная мощность РПОТ – потребляемая мощность z 0 – волновое сопротивление линии передачи t – время tВКЛ – время включения tВЫКЛ – время выключения tЗ, tФ – время задержки и длительность фронта соответственно tР, tС – время рассасывания и время спада соответственно КПТ – постоянный коэффициент, зависящий от конструкции и свойств материала полевого транзистора К I, К U, К Р – коэффициент усиления по току, напряжению и мощности соответственно КШ – коэффициент шума КГ – коэффициент гармоник КЧ – коэффициент частотных искажений КОС – коэффициент ослабления КСТ – коэффициент стабилизации КНЧ, КВЧ – коэффициент низкочастотной и высокочастотной коррекций соответственно ζ з , ζ п – потери запирания и пропускания соответственно r+, r- – активное сопротивление при прямом и обратном смещении соответственно l – длина b – ширина h – толщина; постоянная Планка G – выходная активная проводимость канала Y 11, Y 12, Y 21, Y 22 – входная проводимость, проводимость обратной связи, проводимость прямой передачи, выходная проводимость полевого транзистора соответсвенно ν – частота излучения лучистой энергии νБ – коэффициент переноса носителей в базе αи – коэффициент передачи тока эмиттера βи – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером H 11, H 12, H 21, H 22 – входное сопротивление, коэффициент обратной связи по напряжению, коэффициент передачи тока, выходная проводимость в режиме малого сигнала соответственно (H-параметры) H 11Э, H 12Э, H 21Э, H 22Э – H-параметры в схеме с общим эмиттером с – скорость света λ – длина волны η – коэффициент полезного действия А – затухание нелинейности D – динамический диапазон усилителя Tu – длительность импульса – управляемый источник тока – независимый источник напряжения – управляемый источник напряжения – независимый источник тока
|