Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Перечень принятых обозначений





 

 

I – ток

IПР , IОБР – прямой и обратный ток соответственно

IРАБ–ток в рабочей точке

IСТ–ток стабилизации

Im–амплитудное значение тока

IДР , IДИФ – дрейфовый и диффузионный токи соответственно

IОБЩ– общий ток в полупроводнике

IДРn , IДРp – электронная и дырочная составляющие дрейфового тока соответственно

IДИФn , IДИФp – электронная и дырочная составляющие диффузионного тока соответственно

In , Ip – электронный и дырочный ток соответственно

IС–ток стока полевого транзистора

IЗ–ток затвора

IЭ , IБ , IК , –ток эмиттера, базы и коллектора соответственно

IКБО – обратный ток коллекторного перехода

IКЭО – обратный коллекторный ток в схеме с общим эмиттером

IК max – максимально допустимый выходной ток биполярного транзистора

IС max – максимально допустимый выходной ток полевого транзистора

IВХ , IВЫХ – входной и выходной токи соответственно

J – плотность тока

Jn , Jр – плотность электронной и дырочной составляющих тока соответственно

q – заряд электрона

n – концентрация носителей заряда, количество, квантовое число

n0равновесная концентрация электронов

niсобственная концентрация электронов

nn ,nрконцентрация электронов в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно

р – концентрация дырок

р0равновесная концентрация дырок

рiравновесная концентрация дырок

рn , рр концентрация дырок в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно

μ – подвижность носителей заряда

μn , μр – подвижность электронов и дырок соответственно

μПТ – коэффициент усиления полевого транзистора

V – скорость движения зарядов

Vсрсредняя скорость движения зарядов

S – площадь; крутизна передаточной характеристики

S0 – крутизна передаточной характеристики полевого транзистора при UЗИ=0

E – напряженность электрического поля

Еg – ширина запрещенной зоны

Ее – энергетический уровень электрона

ЕF – уровень Ферми

ЕС – дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного электрона



ЕV – потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного электрона

ЕАК.n, ЕАК.рэнергия ионизации (активации) донорной и акцепторной примесей соответственно

ЕВНУТР, ЕВНЕШ – внутренне и внешнее электрические поля соответственно

ЕКВэнергия кванта

σ – удельная электропроводность

σn , σp – удельная электропроводность полупроводника n – типа и р – типа соответственно

σi – удельная электропроводность собственного полупроводника

ρ – удельное сопротивление

Nc(T), Nν(T) – эффективные плотности состояний на краях зон проводимости (дно) и валентной (потолок) соответственно

Т – абсолютная температура

k – постоянная Больцмана

GГЕНскорость тепловой генерации

RРЕКскорость тепловой рекомбинации

γРвероятность генерации одной пары электрон-дырка в единичном объеме за одну секунду

γЭ – коэффициент инжекции эмиттера

Р(…) – вероятность

ND , NАконцентрация нейтральных атомов примесей полупроводника электронного и дырочного типов соответственно

ND+, NА-концентрация ионизованных атомов донорной и акцепторной примесей соответственно

D – коэффициент диффузии

Dn , Dpкоэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно

DИкоэффициент прохождения

φТтепловой потенциал

Δn , Δp – избыточная концентрация электронов и дырок соответственно

Gn , Rnтепловая скорость генерации электронов и дырок соответственно

τ – время жизни носителей заряда, постоянная времени

τn , τp – время жизни электронов и дырок соответственно

τОБ , τПОВ – объемное и поверхностное время жизни электронов и дырок соответственно

τТ – тепловая постоянная времени структуры диода

L - индуктивность

Ln , Lp - диффузионная длина электронов и дырок соответственно

ε0диэлектрическая проницаемость вакуума

ε – относительная диэлектрическая проницаемость материала

U – напряжение

UКконтактная разность потенциалов

UПР . UОБРпрямое и обратное напряжение соответственно

UБнапряжение потенциального барьера

UГнапряжение генератора

URнапряжение на нагрузке

UРАБнапряжение в рабочей точке

UВХ , UВЫХвходное и выходное напряжения соответственно

UСТнапряжение стабилизации

UПнапряжение питания

UПРОБпробивное напряжение

UНноминальное напряжение

UЗИ напряжение затвор – исток полевого транзистора

UСИ напряжение сток – исток полевого транзистора

UЗИ.отс напряжение отсечки полевого транзистора

UПОРпороговое напряжение

UБЭнапряжение база – эмиттер

UКЭнапряжение коллектор – эмиттер

UКЭmax максимально допустимое напряжение между выходными электродами для биполярного транзистора

UСИmax максимально допустимое напряжение между выходными электродами для полевого транзистора

UОСТостаточное напряжение

d0толщина р – n перехода

d – толщина резкого р – n перехода, толщина i – слоя p-i-n диода



dn , dp , – глубина проникновения ОПЗ в n и р области соответственно

Rp-nсопротивление р – n перехода

C – емкость

СВХ. , СВЫХвходная и выходная емкости соответственно

СЭКВ.эквивалентная емкость

СБ. , СДИФбарьерная и диффузионная емкость соответственно

СН.емкость нагрузки

СМ.емкость монтажа

СVDемкость варикапа

СТ –теплоемкость структуры

СЗС –проходная емкость полевого транзистора

СЗИ –входная емкость полевого транзистора

ССИ –выходная емкость полевого транзистора

QБ , QДИФобъемный и диффузионный заряд равновесных носителей соответственно

Q – добротность

QНАКнакопленный заряд

QКкоэффициент качества

R – сопротивление

RОГР – ограничительное сопротивление

RН – сопротивление нагрузки

RТ – тепловое сопротивление

RС – сопротивление стока полевого транзистора

RИ –сопротивление истока полевого транзистора

Ri – выходное сопротивление транзистора

Riн – динамическое сопротивление полевого транзистора

RВХ , RВЫХ – входное и выходное сопротивления соответственно

RЭ – эквивалентное сопротивление

RД – динамическое сопротивление

f – частота

fкр – критическая частота

ω – круговая частота

Р – мощность

РРАС. макс – максимальная рассеиваемая мощность

РКmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом биполярного транзистора

РСmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом полевого транзистора

РПОЛ – полезная мощность

РПОТ – потребляемая мощность

z0 – волновое сопротивление линии передачи

t – время

tВКЛ – время включения

tВЫКЛ – время выключения

tЗ , tФвремя задержки и длительность фронта соответственно

tР , tСвремя рассасывания и время спада соответственно

КПТпостоянный коэффициент, зависящий от конструкции и свойств материала полевого транзистора

КI , КU , КР – коэффициент усиления по току, напряжению и мощности соответственно

КШ – коэффициент шума

КГ – коэффициент гармоник

КЧ – коэффициент частотных искажений

КОС – коэффициент ослабления

КСТ – коэффициент стабилизации

КНЧ, КВЧ – коэффициент низкочастотной и высокочастотной коррекций соответственно

ζз , ζп – потери запирания и пропускания соответственно

r+ , r- – активное сопротивление при прямом и обратном смещении соответственно

l – длина

b – ширина

h – толщина; постоянная Планка

G – выходная активная проводимость канала

Y11 , Y12 , Y21 , Y22 – входная проводимость, проводимость обратной связи, проводимость прямой передачи, выходная проводимость полевого транзистора соответсвенно

ν – частота излучения лучистой энергии

νБкоэффициент переноса носителей в базе

αи – коэффициент передачи тока эмиттера

βи – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

H11 , H12 , H21 , H22 – входное сопротивление, коэффициент обратной связи по напряжению, коэффициент передачи тока, выходная проводимость в режиме малого сигнала соответственно (H-параметры)

H11Э , H12Э , H21Э , H22Э – H-параметры в схеме с общим эмиттером

с – скорость света

λ – длина волны

η – коэффициент полезного действия

А – затухание нелинейности

D – динамический диапазон усилителя

Tu – длительность импульса

– управляемый источник тока

– независимый источник напряжения

– управляемый источник напряжения

– независимый источник тока

 

 







Date: 2015-05-09; view: 243; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.02 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию