Порядок выполнения работы. 3. 1. Включить цифровой вольтметр и микроамперметр Ф195, и прогреть в течении 2¸3 минут

3.1. Включить цифровой вольтметр и микроамперметр Ф195, и прогреть в течении 2¸3 минут.

3.2. Собрать схему для снятия семейства входных ВАХ транзистора
(рис. 3.2, а).

3.2.1. Включить измерительные приборы в соответствующие гнёзда стенда, соблюдая полярность:

а) микроамперметр РА 1 (Ф195) подключить к гнёздам Х₁ и Х₂;

б) миллиамперметр РА 2 (M2015) подключить к гнёздам Х₇ и Х₈;

в) цифровой вольтметр подключить к гнёздам Х₅ и Х₆, при измерении U _БЭ или к гнёздам Х₉ иХ₁₀ при измерении напряжения U _КЭ;

г) генератор тока ГТ и генератор напряжения ГН2 подключаются с помощью соединительных проводов стенда к соответствующим клеммам источника питания лабораторной установки с соблюдением полярности, указанной на клеммах и соединительных проводах. Регуляторы источников питания ГТ и ГН2 установить в крайнее левое положение.

3.3. Включить источник питания.

3.4. Снять входные характеристики транзистора I _Б = f (U _БЭ) при U _КЭ = 0 в следующей последовательности.

3.4.1. Снять входную ВАХ при U_КЭ1 = 0, для чего:

а) отключить соединительные провода от источника ГН2 и провод «+» ГН2 подключить к клемме Х₉, закоротив тем самым коллектор транзистора, при этом величина U _КЭ = 0;

б) изменяя регуляторами ГТ величину тока I _Б от 0 до 100 мкА согласно табл. 3.1, контролировать напряжение U _БЭ (предел измерения вольтметра установить «1 В»);

в) результаты измерений занести в табл. 3.1.

Таблица 3.1

3.4.2. Снять входную ВАХ при U _КЭ2 = 3 В, для чего:

а) подключить соединительные провода ГН2 к источнику питания ГН2;

б) переключить вольтметр для измерения U _КЭ (информационный щуп вольтметра переставить из гнезда Х₅ в гнездо Х₉, а предел измерения вольтметра поставить в положение «10 В»);

в) регуляторами ГН2 установить U _КЭ2 = 3 В;

г) переключить вольтметр для измерения напряжения U _БЭ (предел измерения «1 В»);

д) изменяя ток I _Б от 0 до 100 мкА (см. табл. 3.1), измерять величину U _БЭ при U _КЭ = const = 3 В. Результаты измерений занести в табл. 3.1.

3.4.3. Снять входную ВАХ при U _КЭ3 = 8 В. Все измерения выполняются аналогично п. 3.4.2.

3.5. Снять выходные (коллекторные) характеристики транзистора I _К = f (U _КЭ) при I _Б = const, результаты измерений занести в табл. 3.2.

Таблица 3.2

Измерения проводить в следующем порядке.

3.5.1. Предел измерений цифрового вольтметра поставить в положение «10 В» и подключить к клеммам Х₉, Х₁₀ для измерения напряжения U _КЭ.

3.5.2. Регулятором ГТ установить ток базы I _Б = 10 мкА, затем регуляторы «грубо» и «точно» источника ГН2 поставить в крайнее левое положение и тем самым установить U _КЭmin, после чего измерить величину I _К.

3.5.3. Изменяя величину U _КЭ в соответствии с табл.3.2, измерять коллекторный ток I _К. Результаты измерений занести в табл. 3.2.

3.5.4. Устанавливая требуемую величину I _Б в соответствии с табл. 3.2 снять семейство коллекторных характеристик, согласно п. 3.5.2. и 3.5.3.

3.6. По результатам измерений построить входные I _Б = f (U _БЭ) и выходные I _К = f (U _КЭ) характеристики.

3.7. На выходной ВАХ построить линию нагрузки в соответствии с уравнением U _ВЫХ = U _КЭ = E _К - I _К× R _К, приняв E _К =12 В, R _К = 4 кОм. При этом линия нагрузки пересекает оси I _К и U _КЭ соответственно в точках 3 мА и 12 В (см. рис. 3.2, б). На линии нагрузки выбрать положения рабочих точек: в активном режиме РТ «A»; в режиме насыщения РТ «H»; в режиме отсечки РТ «O». Рабочую точку «А» транзистора в активном режиме выбирают в средней части участка, а РТ «Н» и РТ «О» на концах линии нагрузки.

3.8. Для выбранного положения рабочей точки выполнить дополнительные построения на входных и выходных характеристиках и определить h -параметры транзистора, аналогично рис. 3.4. Расчёт h -параметров произвести для РТ «А» в активном режиме.

4. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЁТА

4.1. Исследуемые схемы с указанием всех измерительных приборов.

4.2. Экспериментальные данные, представленные в виде таблиц.

4.3. Семейство входных и выходных вольт - амперных характеристик с линией статической нагрузки.

4.4. Расчётные h -параметры и все необходимые построения для их определения.

4.5. Выводы по результатам исследования.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

5.1. Какова структура исследуемого биполярного транзистора и особенности его работы?

5.2. Какие токи протекают в транзисторе, чем они обусловлены и основные соотношения между ними?

5.3. Как можно регулировать ток коллектора в схеме с ОЭ?

5.4. Какие параметры транзистора, включенного с ОЭ, характеризуют его рабочую точку?

5.5. Объясните физический смысл h -параметров. При каких условиях и как их определяют?

5.6. Каковы особенности работы транзистора в электронных схемах?