Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Статистические характеристики биполярного транзистора





 

В рассмотренной схеме базовый электрод является для эмиттерной коллекторной цепей. Такая схема включения триода называется схемой с общей базой (ОБ). В этой схеме эмиттерная цепь является входной, а коллекторная – выходной. Зависимость между током и напряжением во входной и выходной цепях транзистора определяют его вольтамперные характеристики.

Кроме схемы включения с общей базой существуют схемы включения транзистора с общим эмиттером и общим коллектором (усилительные свойства всех схем рассмотрены ниже).

Статический коэффициент усиления (или коэффициент передачи тока) в схеме с ОЭ равен

 

, Uк = const.

 

Можно показать, что

 

.

 

Для выпускаемых: в настоящее время транзисторов коэффициент β колеблется в пределах 10 200.

Входной характеристикой транзистора включенного по схеме о ОЭ, является зависимость Iб(Uб) при Uкэ=const, а выходной характеристикой - зависимость Iк(Uкэ) при Uб =const. Эти характеристики для транзистора типа p-n-p показаны на рисунке 3. Они снимаются экспериментально.

 

Рис.3. Входные и выходные характеристики

Статические характеристики передачи тока и обратной связи транзистора с ОЭ представляют зависимость Iк = f(Iб) при Uб.э= const; Uк.э= f (Iб) при Iб = const. Вид этих характеристик показан на рисунке 4.

Рис.4. Статические характеристики передачи тока (а) и обратной связи (б) транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

 






Date: 2015-05-08; view: 468; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию