Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Порядок выполнения работы. 3.1 Загрузить рабочую схему (файл: Transistor из папки «Рабочий стол/Электроника ЛР/Транзистор»), представленную на рисунке 3.1 ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
3.1 Загрузить рабочую схему (файл: Transistor из папки «Рабочий стол/Электроника ЛР/Транзистор»), представленную на рисунке 3.1.
3.2 Используемый в схеме транзистор заменить на любой, выбранный из базы данных, обратной проводимости. 3.3 Активировать программу (меню «Simulate/Run) и провести эксперимент со схемой с целью построения семейства входных ВАХ транзистора, включенного по схеме с ОЭ (IБ = f (UБЭ) при UКЭ = const). Входные характеристики снять для трех значений напряжения UКЭ = 0, 1, 3 В. 3.4 Результаты измерений занести в таблицу 3.1, созданную в табличном редакторе «Excel». Таблица 3.1 – Результаты первого эксперимента
3.5 Построить графики зависимости тока базы от напряжения на входе транзистора IБ = f (UБЭ) при UКЭ = const в одной системе координат. 3.7 Заменить в принципиальной схеме входной источник напряжения источником тока и снять выходные характеристики транзистора (IК = f (UКЭ) при IБ = const). Результаты для трех значений тока базы (IБ1 = 0, IБ2 = IБ_СР, IБ3 = IБ_MAX) занести в таблицу 3.2, созданную в табличном редакторе «Excel». Таблица 3.2 – Результаты второго эксперимента
3.8 Построить графики зависимости тока коллектора от напряжения на выходе транзистора IК = f (UКЭ) при IБ = const в одной системе координат. 3.9 По результатам измерений и графических построений рассчитать выходные статическое (RВЫХ) и динамическое (rВЫХ) сопротивления транзистора, h12Э и h21Э. 3.10 Оформить отчет в текстовом редакторе «Microsoft Word», куда включить: - название работы; - ФИО и группа студента; - цель работы; - принципиальные рабочие схемы; - таблицы с экспериментальными и расчетными данными; - графический материал; - выводы по каждому разделу работы и итоговые.
Контрольные вопросы 4.1 Дать определение термину «биполярный транзистор» (БПТ). 4.2 Вольт-амперные характеристики БПТ. 4.3 Режимы работы биполярного транзистора. 4.4 Схемы включения БПТ 4.5 Схема включения транзистора с ОБ и основные соотношения для входных и выходных токов и напряжений. 4.6 Схема включения транзистора с ОЭ и основные соотношения для входных и выходных токов и напряжений. 4.7 Схема включения транзистора с ОК и основные соотношения для входных и выходных токов и напряжений. 4.8 Схемы замещения биполярного транзистора. 4.9 Статическое и динамическое входные сопротивления БПТ. 4.10 Статическое и динамическое выходные сопротивления БПТ. 4.11 Числовые характеристики БПТ в h - параметрах. 4.12 Характеристика БПТ передачи по току, ее физический смысл. 4.13 Характеристика БПТ обратной связи по напряжению, ее физический смысл. 4.14 Конструктивные особенности биполярного транзистора. 4.15 Схемы включения БПТ прямой и обратной проводимостей.
Литература
5.1 Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособ. – Ростов н/Д.: «Феникс», 2004.-572с. 5.2 Опадчий Ю.Ф.. Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: М.: Горячая линия – Телеком, 2003.- 768с.- ил.
|