Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Усилители в качестве самостоятельных устройств ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
Расчетная часть Рассчитаем транзисторный каскад с емкостной связью, обеспечивающий в нагрузочном сопротивлении 100 Ом ток с максимальной амплитудой 10 мА. В качестве источника сигнала служит предыдущий каскад с выходным сопротивлением Rr=1Ом. Напряжение питания каскада Ек=6В. Коэффициент усиления желательно иметь наибольшим. Каскад должен работать нормально при установке в него любого транзистора выбранного типа в диапазоне температур от -40 до +30 °С и воспроизводить полосу частот от нижней частоты fн=100 до fв=5000Гц (коэффициент частотных искажений на этих частотах должен быть Мн≤1,4). 1) Применим схему стабилизации с помощью транзисторного эммитера. 2) Выбор транзистора. Поскольку мощность, выделяемая в нагрузке, невелика, а именно: Р=I²mRH/2= (10²·10-6·50/2) Вт=2,5·10-3=0,25 мВт, в качестве транзистора выберем МП38А, у которого допустимая мощность рассеяния 150мВт. Параметры транзистора этого типа следующие: Iк.макс=20мА, ßмин=50; ßмакс=100, Uк.э.макс=15В, fa=2 МГц, Iко=10мкА; Ск=5пФ и тепловое сопротивление Rт=0,2 град/мВт. По граничной частоте транзистора МП38А подходит, так как fa=2 МГц>fв==0,5МГц 3) Определим значение резистора в цепи коллектора. Для этого необходимо задаться коэффициентом токораспределения в коллекторной цепи: γвых=ίн/ ίк=Rk/ Rk+ Rн. Для получения большего усиления каскада желательно, чтобы коэффициент γвых был выше, тогда большая часть тока будет протекать через сопротивление нагрузки. Возьмем γвых равным 0,9; увеличение сверх этого предела не приводит к возрастанию усиления, поскольку весь ток коллектора при таком γвых протекает через сопротивление нагрузки Rн. Теперь определим сопротивление Rн и проверим, можно ли обеспечить неискаженное воспроизведение сигнала при заданных условиях. Если окажется, что падение напряжения на Rн слишком велико, то придется снизить его значение, при этом соответственно уменьшиться γвых, а следовательно, и усиление каскада Rн=(γвых/1- γвых) Rн= (0,9/1-0,9)50=450 Ом При токе коллектора: Iк=:Iн/γвых=10/0,9=11,11мА начальное падение напряжения на Rн будет Uн=Iн · Rн=11,11мА·450Ом=4,9 В, а напряжение всего Ек 6В, т.е транзистор будет находиться в насыщении. 4) Поэтому сопротивление в цепи коллектора необходимо уменьшить так, чтобы обеспечивалось условие неискаженного усиления сигнала Ек= Uм+ Iкm Rн+IэRэ+ΔUк+Uк.мин, где Um-максимальная амплитуда сигнала; Uк.мин- величина напряжения, необходимого для исключения влияния области нелинейности коллекторных характеристик; в данном случае возьмем ΔUк=1В; ΔUк≈(Rк+ Rэ) ΔIк- приращение коллекторного напряжения за счет изменения температуры и параметров транзистора; Δ Iк- максимальное изменение тока коллектора в данной схеме за счет изменения температуры и параметров транзистора. Определяется по формуле: ΔIк=(βст/1+βстγ)·[ΔIко+(εΔТ/Rэ+Rб)+(Iэ+Iб)·Δβст/βст] (*) 5) Падение напряжения на транзисторе при отсутствии сигнала составляет (0,3÷0,5) Ек. Ек=8В. (1,8÷3). Возьмем коэффициент токораспределения γвых=0,7. Тогда Rк=(γвых/1- γвых) Rк=(0,8/1-0,8)100=400 Ом. Выберем Rк=140 Ом, тогда ток коллектора Iк= Iкm= Iнm/ - γвых=10мА/0,7=14,28мА. Найдем падение напряжения на сопротивление Rк. Iк·Rк=14,28·10-3·140≈2,14В, таким образом это вполне допустимо, т. к. он входит в пределы (1,8÷3). 6) Возьмем резистор в цепи эмиттера равным Rэ=0,25·Rк=0.25·400=100 Ом. 7) Наибольшее допустимое изменение тока коллектора в заданном диапазоне температур ΔIк=(Ек-Um-Iк mRк-IэRэ-ΔUк)/(Rк+Rэ)= =(8-1-14.28·10-3·400-14.28·10-3·100-1)/(400+170)=0.00767А=7,67мА. 8) Определим, к какому коэффициенту нестабильности будет соответствовать такое изменение тока. Для этого рассчитаем ΔIк при различных значениях коэффициента нестабильности по формуле (*). Возьмем коэффициент нестабильности S=8; 5; 4. 9) При расчете следует учитывать, что максимальная температура транзистора за счет рассеивающей в нем мощности будет выше наибольшей температуры окружающей среды и составит Тмакс=tокр.макс +Iк.максUкRт=tокр.макс+Iк.макс(Eк-Iк.максRк-Iэ,максRэ)Rт Rт берем из параметров транзистора. Rт = 0,2∙10-3Ом. Iэ.макс≈ Iк.макс= Iк.+Δ Iк=14,28+1,72=16мА Тогда Тмакс=40+16 ·10-3·(6-16·10-3·400-16·10-3·100) ·0,2·10-3≈ 40+16·10-3·2·0,2·10-3≈40 оС. 10) Соответственно максимальное изменение тока Iко составит 0,08мА (считаем, что он удваивается при увеличении температуры на 10°С). S=8; Rб=(S-1) Rэ=(8-1)100=700 Ом Iб≈(Iк/ ßмин)=0,357 мА Δ Iк=S Δ Iк0+(ε Δ Т/ Rэ+ Rб)+(Iб+ Iк0) ·(Δ ß/ ß = 8[0,08 · 10-3+(2 · 10-3 ·70/800)+(0,357 · 10-3+0,08 · 10-3) ·1,5]=7,28 мА;
S=5; Rб=(S-1) Rэ=(5-1)100=400 Ом Δ Iк=S ∙ [Δ Iк0+(ε Δ Т/ Rэ+ Rб)+(Iб+ Iк0) ·(Δ ß/ ß] = 5[0,08 · 10-3+(2 · 10-3 ·70/ 500)+(0,357 · 10-3+0,08 · 10-3) ·1,5]=5,1мА;
S=4; Rб=(S-1) Rэ=(4-1)100=300 Ом Δ Iк=S [ Δ Iк0+(ε Δ Т/ Rэ+ Rб)+(Iб+ Iк0) ·(Δ ß/ ß] = 4[0,08 · 10-3+(2 · 10-3 ·70/ 400)+(0,357 · 10-3+0,08 · 10-3) ·1,5] ≈4,34мА Как видно из расчета предельное изменение коллекторного тока будет соответствовать допустимому при коэффициенте нестабильности каскада S=5. 11) Определим величину сопротивлений R1 и R2. R1= Ек Rб/ Iэ Rэ=8 ·400/14,28 · 10-3 ·100=2,24 кОм; R2= Rб ·R1/ R1- Rб=-2,35 кОм.
Экспериментальная часть (усилители постоянного тока)
Задание: исследование статических вольтамперных характеристик транзистора по схеме с ОЭ. а) Соберем схему измерений с ОЭ в программе Electronic Workbeench. б) снимаем входную статическую характеристику с ОЭ Iб=f (Uбэ). Данные заносим в таблицу 1. Таблица 1
в) снимаем семейство статических выходных характеристик транзистора с ОЭ Iк=f (Uкэ). Данные измерения вносим в таблицу 2.
г) Строим семейства снятых характеристик.
Список литературы 1. Томус Ю. Б., Ситдикова И. П. Электроника. Методические указания по выполнению курсовой работы. – Альметьевск: АГНИ, 2004. – 68с. 2. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника. – Москва: Высшая школа, 2004. – 791с. 3. Лачин В. И., Савелов Н. С. Электроника.Учебник. – Ростов-на-Дону: Феникс, 2002, 573с. 4. Морозова Н. Ю. Электротехника и электроника. – Москва: Академия, 2007. – 256с.
Введение Значительные изменения во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. В настоящее время невозможно найти отрасль промышленности, в которой не использовались бы электронные приборы или электронные устройства измерительной техники, автоматики и вычислительной техники. Причем тенденция развития такова, что доля электронных информационных устройств и устройств автоматики непрерывно увеличивается. Это является результатом развития интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск дешевых, высококачественных, не требующих специальной настройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения. ИииДанная курсовая работа состоит из трех частей: 1) теоретическая, в которой описаны устройство и принцип действия биполярного транзистора, схема включения и режимы работы биполярных транзисторов; структура усилителя; каскады усиления. 2) Во второй части я рассчитала усилительный каскад с постоянной емкостью. 3) Экспериментальная часть. В этой части я исследовала статические вольтамперные характеристики транзистора с ОЭ.
Заключение В расчетной части я определила при каком коэффициенте нестабильности каскада предельное изменение коллекторного тока будет соответствовать допустимому. Из экспериментальной части видно, что при снятии статической характеристики с ОЭ Iб=f(Uбэ) значение Uэб=Iэ, отличаются лишь тем, что значение тока принимает отрицательные значения. При снятии семейства статических выходных характеристик транзистора с ОЭ Iк=f(Uкэ) с изменением значения Uкэ, значения тока Iк не изменяются.
|