Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Справочные данные стабилизаторов напряжения в интегральном исполнении ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
Обозначение стабилизатора наносят на корпус МС типа 402.16-7 (4116.4-3; 4116.8-2; 201.14-1; 2102.14-1) полным наименованием. Однако, в последнее время заводы-изготовители ставят сокращенное обозначение (номер серии МС опускают). На металлокерамические (пластмассовые) корпуса наносят кодовую маркировку, состоящую из буквы К и двух цифр для серии К142 или двух цифр для серии 142. Все последующие знаки несут служебную информацию. Коды маркировки представлены в таблице.
ПРИМЕЧАНИЕ: знаком (*) обозначены двухполярные интегральные стабилизаторы.
Приложение 3 Справочные данные транзисторов:
МП25, МП25А, МП25Б, МП26, МП26А, МП26Б Общие сведения. Германиевые сплавные высоковольтные транзисторы предназначены для работы в усилителях, генераторах и переключающих схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1, а). Масса транзистора не более 2 г. Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметры: , .
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора в режиме насыщения, мА: МП25, МП26................................................................................................................300 МП25А, МП25Б, МП26А, МП26Б.............................................................................400 постоянный ток эмиттера в режиме насыщения, мА: МП25, МП26................................................................................................................300 МП25А, МП25Б, МП26А, МП26Б.............................................................................400 постоянное напряжение эмиттер – база, В: МП25, МП25А, МП25Б……………………………………………………………..40 МП26, МП26А, МП26Б……………………………………………………………..70 постоянное напряжение коллектор – база, В: МП25, МП25А, МП25Б………………………………………………............……..40 пpи и мВт..................………………………………………......60 МП26, МП26А, МП26Б…………………………………………………………......70 пpи и мВт...................................................................................100 постоянное напряжение коллектор – эмиттер (), В: МП25, МП25А, МП25Б……………………………………………………………..40 пpи и мВт.....................................................................................60 МП26, МП26А, МП26Б………………………………………………………….….70 пpи и мВт...................................................................................100 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт...............................200 температура перехода, ..............................................................................75 тепловое сопротивление переход – среда …………………...…0,2 Допустимая температура окружающей среды, При .
МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А Общие сведения. Германиевые сплавные транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний, а также для работы в других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1,а). Масса транзистора не более 2 г. Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметры: , .
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора, мА:……………......………………………...20 , постоянный ток коллектора (эмиттера) в режиме насыщения, мА:…………………………………...…………………….………………………….150 МП37А, МП37Б.............................................................................................................30 при МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...........................................15 МП37А, МП37Б…………………………………..…..............................................….30 постоянное напряжение коллектор – эмиттер (), В: пpи :МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...………….…….…15 при МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...…………...………….…10 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт при …………………......................................................................150 Допустимая температура окружающей среды, Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 30 мА. Значение не нормируется. При , где , . При давлении окружающей среды 50 мм рт. ст. (6650 Па) . ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г Общие сведения. Германиевые сплавные транзисторы предназначены для работы всхемах усиления и генерирования. Корпус металлический, герметичный (рис. П1.2,а и П1.3 ). Масса транзистора не более 0,5 г. Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.1. Электрические параметры. Классификационные параметры: .
Максимально допустимые параметры. постоянный ток коллектора, мА при …………….............…50 постоянное напряжение база – коллектор, В:….………………...…....10 импульсное напряжение база – коллектор, В:….……………..……..18 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВтпри …75 температура перехода, ....................................................................... тепловое сопротивление переход – среда ………………….…0,8 Допустимая температура окружающей среды, …............................. При . При давлении окружающей среды менее 50 мм рт. ст. значение рассчитываются по той же формуле при . Для выходного каскада приемника временно допускаются мВт при .
ГT122A, ГТ122Б, ГТ122В, IT122Г Общие сведения. Германиевые сплавные низкочастотные транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний. Корпус металлический, герметичный (рис П1.1,а). Масса транзистора не более 2 г. Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.3. Электрические параметры. Классификационные параметры: , ,
Максимально допустимые параметры. постоянное напряжение коллектор – эмиттер ( и ), В: ГТ122А...………………………….……………………………………………….….35 ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г………............................................................................…20 при ………………….................................................................................10 постоянное напряжение база – коллектор, В: ГТ122А...……………………………………………………..……………………..…35 ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г…………………………………….....……………………20 при …………………………………………..……………………............10 постоянный ток коллектора, мА при ………………...20 импульсный ток коллектора в режиме переключения, мА при ……………………………………………………………...150 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт при …………………....................................................................150 температура перехода, .......................................................................... тепловое сопротивление переход – среда …………………..…..0,2 Допустимая температура окружающей среды, При .
КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, KT208M Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для использования в импульсных, усилительных и других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.15). Масса транзистора не более 0,7 г. Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметры: , :
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора, мА:……………....................................…0,3 импульсный ток коллектора, мА:……..…………………………....0,5 постоянный ток базы, А:………………..…………………………....0,1 постоянное напряжение коллектор – база, В: КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………….….15 КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..………………….30 КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………..…………………45 КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………..…60 постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при кОм), В: КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………………15 КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..…………………...30 КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………………………....…45 КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………....…60 постоянное напряжение эмиттер – база, В: КТ208А – КТ208Е………………………….....………………………………….….10 КТ208Ж – КТ208М………………………….....………………………………….…20 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт………………….200 температура перехода, ...........................................................................150 Допустимая температура окружающей среды, гарантируется , А. При понижении значения , уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А – В; до 25 В для групп Г – Е; до 40 В для групп Ж – К; до 55 В для групп Л, М. уменьшается линейно до 15 В для групп Ж – М. В диапазоне – 60…+ 60оС. При мощность линейно уменьшается до 50 мВт.
KT312A, KТ312Б, КТ312В Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах. Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. П1.21,а). Масса транзистора не более 1 г. Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3. Электрические параметры. Классификационные параметры: , , , │ │.
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора, мА:……………......……………………….30 импульсный ток коллектора, мА:……..……………………………......60 постоянное напряжение коллектор – база, В: КТ312А, КТ312В………………………….....…………………………………..….20 КТ312Б…………………………………….....………………………………………35 постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при Ом), В: КТ312А, КТ312В………………………….....……………………………………...20 КТ312Б…………………………………….....………………………………..…..…35 постоянное напряжение эмиттер – база, В:…………………………..…4 постоянная рассеиваемая мощность коллектора (при Ом), мВт…………………………………………………………………………………..225 импульсная рассеиваемая мощность транзистора (при ), мВт…………………………………………………………………………………...450 тепловое сопротивление переход – окружающая среда, ............0,4 Допустимая температура окружающей среды, При , .
КТ375А, КТ375Б Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для работы в импульсных и других схемах радиотехнических устройств. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами (рис. П1.32). Масса транзистора не более 0,25 г. Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4. Электрические параметры. Классификационные параметры: , , , .
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора, мА…………….......................................…100 импульсный ток коллектора, мА……..………...................................200 постоянное напряжение эмиттер – база, В:……………………………..5 постоянное напряжение коллектор – база, В: КТ375А………………………….....……………………………………………..….60 КТ375Б…………………………………….....………………..……………………..30 постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при Ом), В: КТ375А………………………….....………………………………………………….60 КТ375Б…………………………………….....……………………………………..…30 постоянная рассеиваемая мощность коллектора мВт…………………..200 импульсная рассеиваемая мощность коллектора, (при ), мВт…………………………………………………………………………………...400 температура перехода, ...........................................................................150 тепловое сопротивление переход – окружающая среда, ……….0,5 Допустимая температура окружающей среды, При , . При этом средняя мощность за период не должна превышать .
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, П1.11), Масса транзистора не более 0,5 г. Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.3. Электрические параметры. Классификационные параметры: , │ │, , .
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды . постоянный ток коллектора в режиме насыщения, мА…………..……...100 импульсный ток коллектора (, ), мА…..…….…...200 постоянное напряжение эмиттер – база, В…………………….………….5 постоянное напряжение коллектор – база, В: КТ3102А, КТ3102Б……………………………………..……..….……………….…..50 КТ3102В, КТ3102Д…………………………………………………………………...30 КТ3102Г, КТ3102Е........................................................................................................20 постоянное напряжение коллектор – эмиттер В: КТ3102А, КТ3102Б……………………………………..……….……..………….…..50 КТ3102В, КТ3102Д…………………………………………………………………...30 КТ3102Г, КТ3102Е........................................................................................................20 постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт...............................250 температура перехода, Date: 2015-05-08; view: 5407; Нарушение авторских прав |